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Ein Verfahren zum Verhindern einer Erzeugung einer Programmierstörung, verursacht durch heiße Elektronen, in einen NAND-Flash-Speicherbauelement. Eine Kanalverstärkungsstörungsverhinderungsspannung niedriger als eine Programmierverhinderungsspannung, angelegt an andere Wortleitungen, wird an Randwortleitungen angelegt, die mit Speicherzellen gekoppelt ist, die am nächsten zu den Auswahltransistoren liegen. Als ein Ergebnis wird ein elektrisches Feld zwischen den Speicherzellen, gekoppelt mit den Randwortleitungen, und den Auswahltransistoren geschwächt, und die Energie der heißen Elektronen wird reduziert.
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