| 主权项 |
1.一种薄膜体声共振器,形成于基体上,该薄膜体声共振器包含:一层压电材料,包括:一第一表面,接近该基体;一第二表面,远离该基体之表面;一第一导电层,包含与该层压电材料之第一表面相接触的部份,该第一导电层并非平面状;以及一第二导电层,与该层压电材料之第二表面相接触。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜体声共振器,其中该第一导电层以及该第二导电层沉积于该层压电材料之第一表面与第二表面上。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜体声共振器,其中该层压电材料为一单晶膜。4.如申请专利范围第3项所述之薄膜体声共振器,其中该层压电材料为AlN。5.如申请专利范围第3项所述之薄膜体声共振器,其中该层压电材料为ZnO。6.如申请专利范围第3项所述之薄膜体声共振器,其中该层压电材料为一C-轴定向膜。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜体声共振器,其中该层压电材料包括:一C-轴定向部份;以及一非C-轴定向部份,其中至少一部份的该第一导电层以及一部份的该第二导电层邻近于该层压电材料的C-轴定向部份。8.如申请专利范围第1项所述之薄膜体声共振器,其中该第一导电层包括:一第一平面部份;以及一第二平面部份,该第一平面部份与该第二平面部份之表面位于不同平面。9.一种在一基体上形成一器件之方法,包含:将一第一电极之一第一部份沉积至该基体上;将一压电层沉积在该基体以及部份的第一电极之该第一部份上,该压电薄膜层具有接近于该基体的一第一表面以及远离该基体的一第二表面;将一第二电极放置于该压电层的第二表面上;移除该基体位于该压电层下方以及位于该第一电极下方部份的部份;以及将该第一电极的一第二部份沉积至该压电薄膜层的第一电极上,并沉积至该第一电极的第一部份上。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该压电层为一单晶压电膜。11.如申请专利范围第9项所述之方法,进一步包含移除一部份的该压电层之第一表面。12.如申请专利范围第11项所述之方法,进一步包含移除一部份的该第一电极之第一部份。13.如申请专利范围第9项所述之方法,进一步包含使该第一电极之第二部份与该第一电极之第一部份之间产生电气接触。14.一种在一基体上形成一器件之方法,包含:将一第一电极的一第一部份放置于该基体上;将一压电层放置于该基体上并放置于部份的该第一电极之第一部份上,该压电层具有接近于该基体的一第一表面以及远离该基体的一第二表面;将一第二电极放置于该压电层的第二表面上;移除该基体位于该压电层下方的部份以及位于该第一电极下方部份的部份;将第一电极的第二部份放置于压电薄膜层的第一表面以及第一电极的第一部份处。15.如申请专利范围第14项所述之方法,进一步包含将一种子层放置至该基体上的步骤。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该种子层为非导电性。17.如申请专利范围第14项所述之方法,进一步包含移除该压电层第一表面之一部份。18.如申请专利范围第15项所述之方法,进一步包含移除该种子层位于该压电层下方的部份以及位于该第一电极下方部份的部份。19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该种子层为一单晶种子层。20.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该种子层可生长一单晶压电膜。21.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该种子层为导电性。22.如申请专利范围第21项所述之方法,进一步包含移除一部份的该压电层之第一表面。23.一种在一基体上形成一器件之方法,包含:将一层介电层沉积至该基体上;将一层种子层沉积至该介电层上;将一第一电极之一第一部份沉积至该介电层上;将一压电层沉积至该介电层上并沉积在一部份的该第一电极之第一表面上,该压电层具有接近该基体的一第一表面以及远离该基体的一第二表面;将一第二电极放置于该压电层的第二表面上;移除该基体位于该压电层下方的部份以及位于该第一电极下方部份的部份;移除该介电层位于该压电层下方的部份以及位于该第一电极下方部份的部份;移除该种子层位于该压电层下方的部份以及位于该第一电极下方部份的部份;将该第一电极的一第二部份沉积至该压电薄膜层的第一表面上并沉积至该第一电极的第一部份上。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该种子层为非导电性。25.如申请专利范围第24项所述之方法,进一步包含移除部份的该压电层之第一表面。26.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该种子层为导电性。27.如申请专利范围第26项所述之方法,进一步包含移除部份的该压电层之第一表面。图式简单说明:图1代表先前技术薄膜体声共振器之剖面图。图2代表薄膜体声共振器之电路图。图3A代表单晶基体之俯视图,其上具有介电层及一部份第一电极。图3B代表图3A所示之基体或晶圆的侧视图。图4A代表一基体,其系一压电膜以及第二电极已沉积在基体之后的基体。图4B代表如图4A所示基体之侧视图。图5A代表一基体,其系移除位于压电材料下方的一部份基体材料后的基体。图5B代表如图5A所示基体之侧视图。图6A代表一基体,其系移除位于压电材料下方的一部份种子层之后的基体。图6B代表如图6A所示基体之侧视图。图7A代表一基体,其系在第一电极之第二部份被沉积在压电层之上并被沉积在第一电极之第一部份后的基体。图7B代表如图7A所示基体之侧视图。图8A代表一基体俯视图,其上系具有非导电种子层以及第一电极一部份。图8B代表如图8A所示基体之侧视图。图9A代表一基体,其上系已沉积一层压电膜以及第二电极之后的基体。图9B代表如图9A所示基体之侧视图。图10A代表一基体,其系移除位于压电材料下方的基体材料之一部份后的基体。图10B代表如图10A所示基体之侧视图。图11A代表一基体,其系移除位于压电材料下方的种子层之一部份后的基体。图11B代表如图11A所示基体之侧视图。图12A代表一基体,其系在第一电极之第二部份被沉积在压电层之上并被沉积在第一电极之第一部份上方后的基体。图12B代表如图12A所示基体之侧视图。图13A代表一基体的俯视图,其上系具有种子层以及一部份第一电极。图13B代表如图13A所示基体之侧视图。图14A代表已沉积一层压电膜在其上的基体。图14B代表如图14A所示基体之侧视图。图15A代表已将第二电极沉积在压电层之上的基体,且基体之一部份已由基体背侧移除。图15B代表如图15A所示基体之侧视图。图16A代表一基体,其系移除基体之一部份、位于压电材料之下的种子层之一部份、以及压电材料之一部份之后的基体。图16B代表如图16A所示基体之侧视图。图17A代表一基体,其系第一电极的第二部份被沉积在压电层之上且沉积在第一电极的第一部份后的基体。图17B代表如图17A所示基体之侧视图。图18A代表一基体俯视图,其上系具有一介电膜、一导电种子层、以及位部份第一电极。图18B代表如图18A所示基体之侧视图。图19A代表已有一层压电膜沉积在其上的基体。图19B代表如图19A所示基体之侧视图。图20A代表一基体,其系第二电极已被沉积在压电膜之上、且基体之一部份已由基体背侧移除之基体。图20B代表如图20A所示基体之侧视图。图21A代表一基体,其系移除基体之一部份、介电层之一部份、位于压电材料下方种子层之一部份、以及不良定向压电材料之后的基体。图21B代表如图21A所示基体之侧视图。图22A代表一基体,其系第一电极之第二部份被沉积在压电层之上并被沉积在第一电极的第一部份之上以后的基体。图22B代表如图22A所示基体之侧视图。 |
