用于半导体制造装置之晶圆保持器及安装其之半导体制造装置

摘要

本发明揭示一种晶圆保持器及安装该保持器之半导体制造设备，该晶圆保持器具有一晶圆承载表面，其中当该晶圆保持器被加热时，翘曲与破裂之发生率较低。在具有一晶圆承载表面之晶圆保持器中，在晶圆保持器之表面或内部形成由一或多个烧结薄层组成的电路；藉由在电路中提供孔隙可使翘曲与破裂之发生率变得极低。该电路较佳为用于静电卡盘之电极电路、抗加热元件电路、射频(RF)功率电极电路及高压生成电极电路中的任一电路。

主权项

1.一种用于半导体制造设备之晶圆保持器,该晶圆保持器具有用于承载晶圆之表面并包含一形成于该表面或该晶圆保持器内部、由一或多个烧结薄层构成的一电路层,该电路层具有孔隙率,即于其中存在孔隙。2.如申请专利范围第1项之晶圆保持器,其中:该电路层之主要成份为选自钨、钼及钽中的一或多种金属;及该孔隙率为0.1%或更大。3.如申请专利范围第1项之晶圆保持器,其中:该电路层之主要成份为选自银、钒及铂中的一或多种金属;及该孔隙率为2%或更大。4.如申请专利范围第2项之晶圆保持器,其中该电路为用于静电卡盘之电极电路、抗加热元件电路、RF功率电极电路及高压生成电极电路中的任一种。5.如申请专利范围第3项之晶圆保持器,其中该电路为用于静电卡盘之电极电路、抗加热元件电路、RF功率电极电路及高压生成电极电路中的任一种。6.一种半导体制造设备,其中安装了如申请专利范围第1项之晶圆保持器。7.一种半导体制造设备,其中安装了如申请专利范围第2项之晶圆保持器。8.一种半导体制造设备,其中安装了如申请专利范围第3项之晶圆保持器。9.一种半导体制造设备,其中安装了如申请专利范围第4项之晶圆保持器。10.一种半导体制造设备,其中安装了如申请专利范围第5项之晶圆保持器。图式简单说明:图示说明根据本发明之一晶圆保持器剖面结构之一实例。