| 主权项 |
1.一种记忆装置韧体修补方法,该记忆装置至少包括一记忆区块与其中之一修补程式区块、一微处理器与一韧体,其中该修补方法步骤包括有:初始化系统;检测是否为修补模式;选择使用该韧体功能;判断该韧体功能是否有修补程式;及使用载入该记忆区块对应于该韧体功能之修补程式。2.如申请专利范围第1项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该检测是否为修补模式之步骤中,若为是,则进入载入该修补程式步骤,包括有:载入该韧体功能之修补程式于一预先规划之修补程式区块;及设立一或复数个旗标(flag)记号。3.如申请专利范围第2项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该设立一或复数个旗标记号之步骤,系为定义该记忆装置之韧体功能已由对应之修补程式取代。4.如申请专利范围第1项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该判断该韧体功能是否有修补程式之步骤,系藉该旗标记号之设立来判断。5.如申请专利范围第1项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该判断该韧体功能是否有修补程式之步骤,若为否,则使用原先预载于该韧体之韧体功能程式。6.如申请专利范围第1项所述之记忆装置韧体修补方法,其中于该使用载入该记忆区块对应于该韧体功能之修补程式之后之步骤更包括有:载入该韧体功能程式于一系统记忆体中执行;及判断是否使用其他韧体功能。7.如申请专利范围第6项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该判断是否使用其他韧体功能之步骤中,若为是,则继续选择使用该韧体功能之步骤。8.如申请专利范围第1项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该初始化系统更包括有定义该预先规划之修补程式区块位址之步骤。9.如申请专利范围第1项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该修补程式区块系为该记忆区块之一部份。10.如申请专利范围第9项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该记忆区块系为一非挥发性可读写之记忆体。11.一种记忆装置韧体修补方法,其中载入一修补程式于一记忆区块之修补方法步骤包括有:初始化系统;检测一或复数个记忆装置之韧体功能是否需要修补;若是,即载入该韧体功能之修补程式于一预先规划之修补程式区块;及设立一或复数个旗标(flag)记号。12.如申请专利范围第11项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该初始化系统更包括有定义该预先规划之修补程式区块位址之步骤。13.如申请专利范围第11项所述之记忆装置韧体修补方法,其中藉重复上述步骤达到完成该修补方法。14.如申请专利范围第11项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该检测该记忆装置之韧体功能是否需要修补之步骤中,若为否,则修补方法步骤结束。15.如申请专利范围第11项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该修补程式区块系为该记忆区块之一部份。16.如申请专利范围第15项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该记忆区块系为一非挥发性可读写之记忆体。17.如申请专利范围第11项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该设立一或复数个旗标记号之步骤,系为定义该记忆装置之韧体功能已由对应之修补程式取代。18.一种记忆装置韧体修补方法,其中载入一修补程式于一记忆区块之修补方法步骤包括有:初始化系统;检测一或复数个记忆装置之韧体功能是否需要修补;若是,即载入该韧体功能之修补程式于一预先规划之修补程式区块;判断该修补程式是否正确;及若为是,即设立一或复数个旗标(flag)记号。19.如申请专利范围第18项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该判断该修补程式是否正确之步骤中,若为否,表示该修补程式损毁或是出现版本错误与相容性的问题,即延用原本该韧体内功能程式。20.如申请专利范围第18项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该初始化系统更包括有定义该预先规划之修补程式区块位址之步骤。21.如申请专利范围第18项所述之记忆装置韧体修补方法,其中藉重复上述步骤达到完成该修补方法。22.如申请专利范围第18项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该检测该记忆装置之韧体功能是否需要修补之步骤中,若为否,则修补方法步骤结束。23.如申请专利范围第18项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该修补程式区块系为该记忆区块之一部份。24.如申请专利范围第23项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该记忆区块系为一非挥发性可读写之记忆体。25.如申请专利范围第18项所述之记忆装置韧体修补方法,其中该设立一或复数个旗标记号之步骤,系为定义该记忆装置之韧体功能已由对应之修补程式取代。图式简单说明:第一图系为习用技术之随身碟结构;第二图系为习用技术晶片韧体之动态修补方法结构示意图;第三图系为本发明记忆装置韧体修补装置示意图;第四图系为本发明记忆装置韧体修补程式载入记忆区块流程图;第五图系为本发明记忆装置韧体修补方法之系统运作流程图。 |
