| 主权项 |
1.一种加快NMOS电晶体导通的加速装置,该NMOS电晶体连接在一输入端及一输出端之间,该加速装置包括:一电压;以及一开关,耦接在该NMOS电晶体的闸极及该电压之间;其中,在该NMOS电晶体截止时,该开关导通,使该闸极上的电压维持在不为零但无法导通该NMOS电晶体的准位。2.如申请专利范围第1项之加速装置,更包括一二极体与该开关串联,在该NMOS电晶体截止时存在一顺偏电压于其上。3.一种加快NMOS电晶体导通的加速装置,该NMOS电晶体连接在一输入端及一输出端之间,该加速装置包括:一运算放大器,具有一非反相输入耦接一电压,以及一反相输入连接该NMOS电晶体的闸极;以及一开关,连接在该运算放大器的输出与该NMOS电晶体的闸极之间;其中,在该NMOS电晶体截止时,该开关导通,使该闸极上的电压维持在不为零但无法导通该NMOS电晶体的准位。4.一种加快NMOS电晶体导通的加速装置,该NMOS电晶体连接在一输入端及一输出端之间,其闸极连接一第一开关,该加速装置包括:一第二开关,用以切换该第一开关;一迟滞比较器,用以侦测该NMOS电晶体闸极上的电压;以及一或闸,根据该迟滞比较器的输出及一致能信号输出一控制信号切换该第二开关;其中,在该NMOS电晶体截止时,若该NMOS电晶体闸极上的电压低于一电压,则导通该第一开关使该NMOS电晶体的闸极被充电。5.一种加快NMOS电晶体导通的方法,该NMOS电晶体连接在一输入端及一输出端之间,该方法包括在该NMOS电晶体截止时,维持该闸极上的电压在不为零但无法导通该NMOS电晶体的准位。6.如申请专利范围第5项之方法,更包括在该NMOS电晶体截止时侦测该闸极上的电压,若该闸极上的电压低于该维持的准位时,对该闸极充电。7.一种切换电路,包括:一第一输入端;一第二输入端;一输出端;一第一NMOS电晶体,连接在该第一输入端与输出端之间;一第一加速装置,连接该第一NMOS电晶体的闸极,在该第一NMOS电晶体截止时,该第一加速装置使该第一NMOS电晶体闸极的电压维持在不为零且不导通该第一NMOS电晶体的准位;一第二NMOS电晶体,连接在该第二输入端及输出端之间;以及一第二加速装置,连接该第二NMOS电晶体的闸极,在该第二NMOS电晶体截止时,该第二加速装置使该第二NMOS电晶体的闸极电压维持在不为零且不导通该第二NMOS电晶体的准位。8.如申请专利范围第7项之切换电路,其中该第一加速装置包括:一电压;以及一开关,耦接在该第一NMOS电晶体的闸极及该电压之间;其中,在该第一NMOS电晶体截止时,该开关导通。9.如申请专利范围第8项之切换电路,其中该第一加速装置更包括一二极体与该开关串联,在该第一NMOS电晶体截止时存在一顺偏电压于其上。10.如申请专利范围第7项之切换电路,其中该第一加速装置包括:一运算放大器,具有一非反相输入耦接一电压,以及一反相输入连接该第一NMOS电晶体的闸极;以及一开关,连接在该运算放大器的输出与该第一NMOS电晶体的闸极之间;其中,在该第一NMOS电晶体截止时,该开关导通。11.如申请专利范围第7项之切换电路,更包括:一开关;以及一二极体,与该开关串联在该第一及第二NMOS电晶体的闸极之间;其中,在该第二NMOS电晶体截止时,其闸极上的电荷经该开关及二极体分享到该第一NMOS电晶体的闸极。12.如申请专利范围第7项之切换电路,更包括:一开关;以及一二极体,与该开关串联在该第一及第二NMOS电晶体的闸极之间;其中,在该第一NMOS电晶体截止时,其闸极上的电荷经该开关及二极体分享到该第二NMOS电晶体的闸极。13.一种切换电路,包括:一第一输入端;一第二输入端;一输出端;一第一NMOS电晶体,连接在该第一输入端与输出端之间;一第一开关,耦接该第一NMOS电晶体的闸极;一第一加速装置,连接该第一开关,在该第一NMOS电晶体截止时,该第一加速装置侦测该第一NMOS电晶体闸极上的电压,在该闸极上的电压小于一第一电压时,导通该第一开关,让该第一NMOS电晶体的闸极被充电;一第二NMOS电晶体,连接在该第二输入端及输出端之间;一第二开关,耦接该第二NMOS电晶体的闸极;以及一第二加速装置,连接该第二开关,在该第二NMOS电晶体截止时,该第二加速装置侦测该第二NMOS电晶体闸极上的电压,在该闸极上的电压小于一第二电压时,导通该第二开关,让该第二NMOS电晶体的闸极被充电。14.如申请专利范围第13项之切换电路,更包括一二极体耦接在该第一NMOS电晶体的闸极与第二开关之间,以在该第二开关导通时,让该第一NMOS电晶体闸极上的电荷分享至该第二NMOS电晶体的闸极。15.如申请专利范围第13项之切换电路,更包括一二极体耦接在该第二NMOS电晶体的闸极与第一开关之间,以在该第一开关导通时,让该第二NMOS电晶体闸极上的电荷分享至该第一NMOS电晶体的闸极。16.如申请专利范围第13项之切换电路,其中该第一加速装置包括:一迟滞比较器,比较该第一NMOS电晶体闸极上的电压及第一电压;以及一或闸,根据该迟滞比较器的输出及一致能信号切换该第一开关;其中,该致能信号系用来在该第一NMOS电晶体导通时,让该第一开关维持导通。17.一种切换电路,包括:一第一输入端;一第二输入端;一输出端;一第一NMOS电晶体,连接在该第一输入端与输出端之间;一第二NMOS电晶体,连接在该第二输入端及输出端之间;一第一加速装置,连接在该第一及第二NMOS电晶体的闸极之间,在该第二NMOS电晶体截止时,其闸极上的电荷该第一加速装置分享到该第一NMOS电晶体的闸极,以加快该第一NMOS电晶体的导通速度;以及一第二加速装置,连接在该第一及第二NMOS电晶体的闸极之间,在该第一NMOS电晶体截止时,其闸极上的电荷经该第一加速装置分享到该第二NMOS电晶体的闸极,以加快该第二NMOS电晶体的导通速度。18.如申请专利范围第17项之切换电路,其中该第一加速装置包括:一开关;以及一二极体,与该开关串联在该第一及第二NMOS电晶体的闸极之间。19.如申请专利范围第17项之切换电路,其中该第二加速装置包括:一开关;以及一二极体,与该开关串联在该第一及第二NMOS电晶体的闸极之间。20.一种切换电路,包括:一第一输入端;一第二输入端;一输出端;一第一NMOS电晶体,连接在该第一输入端与输出端之间;一第一开关,耦接该第一NMOS电晶体的闸极;一第二NMOS电晶体,连接在该第二输入端及输出端之间;一第二开关,耦接该第二NMOS电晶体的闸极;一第一二极体,耦接在该第二NMOS电晶体的闸极与第一开关之间,以在该第一开关导通时,让该第二NMOS电晶体闸极上的电荷分享至该第一NMOS电晶体的闸极,加快该第一NMOS电晶体的导通速度;以及一第二二极体,耦接在该第一NMOS电晶体的闸极与第二开关之间,以在该第二开关导通时,让该第一NMOS电晶体闸极上的电荷分享至该第二NMOS电晶体的闸极,加快该第二NMOS电晶体的导通速度。21.如申请专利范围第20项之切换电路,其中该第二开关系MOS电晶体。22.如申请专利范围第21项之切换电路,其中该第一二极体系该MOS电晶体的寄生二极体。23.如申请专利范围第20项之切换电路,其中该第一开关系MOS电晶体。24.如申请专利范围第23项之切换电路,其中该第二二极体系该MOS电晶体的寄生二极体。图式简单说明:第一图系以一NMOS电晶体作为功率开关之电压供应电路;第二图显示本发明的第一实施例;第三图显示本发明的第二实施例;第四图显示本发明的第三实施例;第五图显示本发明的第四实施例;以及第六图显示本发明的第五实施例。 |
