发明名称 覆晶接合方法及覆晶接合结构
摘要 本发明系关于一种覆晶接合方法及覆晶接合结构。该覆晶接合方法,包括:(a)提供一晶片,该晶片具有复数个凸块;(b)提供一基板,该基板具有复数个接合孔洞,该等接合孔洞之位置及形状系对应该等凸块;(c)对准该晶片及该基板,使得该等凸块位于该等接合孔洞内;及(d)加热该晶片及该基板,使得该等凸块电气连接至该基板内之导电线路层。藉此,可省却用填充底胶之步骤,使制程更为简单。此外,可增加接合强度且减小接合后之总高度。
申请公布号 TWI264054 申请公布日期 2006.10.11
申请号 TW094106105 申请日期 2005.03.01
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 翁肇甫
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种覆晶接合方法,包括:(a)提供一晶片,该晶片具有一线路面及一非线路面,其中该线路面具有复数个凸块;(b)提供一基板,该基板具有一导电线路层;(c)形成一接合层于该导电线路层上方,该接合层具有复数个接合孔洞,该等接合孔洞之位置及形状系对应该等凸块;(d)对准该晶片及该基板,使得该等凸块位于该等接合孔洞内;及(e)加热该晶片及该基板,使得该等凸块电气连接至该导电线路层。2.如请求项1之方法,其中该步骤(c)更包括:(c1)形成一第一导电材料于该等接合孔洞内,该第一导电材料系电气连接至该导电线路层;及(c2)形成一预焊材料于该第一导电材料上方。3.如请求项2之方法,其中该步骤(c1)中该第一导电材料之高度系小于该等接合孔洞之高度。4.如请求项1之方法,其中该接合层更具有复数个导电孔洞,该步骤(c)更包括一形成一第二导电材料于该等导电孔洞内之步骤,其中该第二导电材料系电气连该导电线路层及一外部元件。5.如请求项4之方法,其中该第二导电材料系填满该等导电孔洞。6.如请求项1之方法,其中该基板系为一电路板。7.如请求项1之方法,其中该基板系为一晶圆。8.一种覆晶接合结构,包括:一晶片,该晶片具有一线路面及一非线路面,其中该线路面具有复数个凸块;及一基板,该基板具有一导电线路层及一接合层,该接合层系位于该导电线路层上方,其具有复数个接合孔洞,该等接合孔洞之位置及形状系对应该等凸块,以容置该等凸块,且使得该等凸块电气连接至该导电线路层。9.如请求项8之结构,其中该等接合孔洞内更包括一第一导电材料及一预焊材料,其中该第一导电材料系电气连接至该导电线路层,该预焊材料系于该第一导电材料上方,该等凸块系连接该预焊材料。10.如请求项9之结构,其中该第一导电材料之高度系小于该等接合孔洞之高度。11.如请求项8之结构,其中该基板更具有复数个导电孔洞,该等导电孔洞内更包括一第二导电材料,其中该第二导电材料系用以电气连该导电线路层及一外部元件。12.如请求项11之结构,其中该第二导电材料系填满该等导电孔洞。13.如请求项8之结构,其中该基板系为一电路板。14.如请求项8之结构,其中该基板系为一晶圆。图式简单说明:图1a至1c显示习用覆晶接合方法之步骤示意图;及图2a及2b显示本发明覆晶接合方法之步骤示意图。
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号