| 主权项 |
1.一种用于一射频(RF)功率放大器之可适性偏压控制电路,该RF功率放大器具有一用于接收一具有一变化振幅之输入信号之输入、一输出、一具有一第一、第二以及第三端子之第一电晶体、以及复数个回应该RF功率放大器中的一偏压电流所建立的一静态操作点之操作性能特性,该偏压控制电路包括:一耦合至该RF功率放大器用于接收该输入信号一部分之第一电路;以及一用于从该输入信号的该部分产生一整流信号之第二电晶体,该整流信号用于使该偏压电流受控制,作为该输入信号之该振幅的一函数,该第二电晶体具有一连接在一起之第一与第二端子,且耦合至该第一电路,以及一耦合至一固定电压之第三端子。2.如申请专利范围第1项之可适性偏压控制电路,其中该第二电晶体系该第一电晶体之尺寸的一小部分。3.如申请专利范围第1项之可适性偏压控制电路,其中该第二电晶体配置为具有与该第一电晶体实质上相同之电与热特性,且其中该RF功率放大器系置入一积体电路(IC)晶片中,且该第二电晶体亦置入该IC晶片,使该等第一与第二电晶体具有实质上相同的电与热特性。4.如申请专利范围第1项之可适性偏压控制电路,进一步包括一耦合至该第二电晶体之第二电路,用于初始偏压该第二电晶体,并在接收该输入信号之前,使该偏压电流得以设定,其中该第二电路包括串联连接之一电阻器与一电压源。5.如申请专利范围第1项之可适性偏压控制电路,其中该第一与第二电晶体系横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)电晶体,且其中各第一端子系一闸极,各第二端子系一汲极,且各第三端子系一源极,因而该偏压电流为该第一电晶体之汲极电流,该整流信号系一直流电流,且该整流信号使该第一电晶体之闸极处的电压针对该输入信号的振幅进行反向调整,用于控制该偏压电流。6.如申请专利范围第1项之可适性偏压控制电路,其中该第一电路包括一耦合在该RF功率放大器与该第二电晶体之第一与第二端子之接合处之间的电阻器。7.如申请专利范围第1项之可适性偏压控制电路,其中该第二电路包括一耦合在该RF功率放大器与该第二电晶体之第一与第二端子之接合处之间的电感器。8.如申请专利范围第1项之可适性偏压控制电路,其中该固定电压系一接地电位。9.一种用于一射频(RF)功率放大器之可适性偏压控制电路,该RF功率放大器具有一用于接收一具有一变化振幅之输入信号之输入、一输出、一第一电晶体、以及复数个回应该RF功率放大器中的一偏压电流所建立的一静态操作点之操作性能特性,该偏压控制电路包括:一耦合至该RF功率放大器用于接收该输入信号的一部分之第一电路;以及一用于从该输入信号之部分产生一整流信号之第二电晶体,该整流信号用于使该偏压电流受控制,作为该输入信号的该振幅之一函数,该第二电晶体具有连接在一起之一第一与第二端子,且耦合至该第一电路,以及一耦合至一接地电位之第三端子,其中该RF功率放大器系置入一积体电路(IC)晶片,且该第二电晶体亦置入该IC晶片,使该第一与第二电晶体具有实质上相同的电与热特性。10.一种在一通信装置中使用之射频(RF)功率放大器网路,包括:一RF功率放大器,经配置用以展现复数个回应该RF功率放大器中的一偏压电流所建立之一静态操作点之操作性能特性,该RF功率放大器包括一用于接收一具有一变化振幅之输入信号之输入、一输出、以及一耦合在该输入与该输出之间的第一电晶体;以及一可适性偏压控制电路包括一耦合至该RF功率放大器,用于接收该输入信号的一部分之第一电路,以及一用于从该输入信号的该部分产生一整流信号之第二电晶体,该整流信号用于使该偏压电流受控制,作为该输入信号之该振幅的一函数,该第二电晶体具有连接在一起之一第一与第二端子,并耦合至该第一电路,以及一耦合至一固定电压之第三端子。图式简单说明:图1说明根据本发明之RF功率放大器网路图;以及图2说明图1所示之偏压控制电路的转换函数。 |
