| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造装置,包含:一制程室,其形成一反应区域;一晶圆承载盘,位于该反应区域中,其内并具有一加热器,其中一晶圆装载于该晶圆承载盘上;以及一反射部,位于该反应区域中与该晶圆承载盘上,其补偿该晶圆之温度,其中该反射部反射从该晶圆射出的辐射热。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造装置,其中反射部与晶圆平行。3.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造装置,其中从晶圆射出之辐射热系在红外线光之范围中。4.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造装置,其中反射部由钼(Mo)形成。5.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造装置,其中反射部的底面是平的。6.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造装置,其中反射部的底面是凹面的。7.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造装置,更包含支持构件,其与该晶圆承载盘及反射部之边缘接触。8.一种半导体装置的制造装置,包含:一制程室下墙;一圆顶,与该制程室下墙结合以界定一制程区域;一帮浦工具,用以使该制程区域真空;一锺罩,其位于该圆顶之上;一晶圆承载盘,位于该制程区域中,且一基板装载于其上;一晶圆承载加热器,其装设于晶圆承载盘内;以及一反射板,位于该制程区域中并与该晶圆承载盘隔开,其中该反射板反射从该基板射出的辐射热。9.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造装置,更包含支持构件,其与该晶圆承载盘及反射板之边缘接触。10.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造装置,其中该反射板具有比该基板大的区域。11.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造装置,其中该反射板面对该晶圆承载盘的表面是平的。12.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造装置,其中该反射板面对该晶圆承载盘的表面是凹面的。13.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造装置,其中该反射板由钼(Mo)形成。14.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造装置,更包含一锺罩加热器,其装设于锺罩中。图式简单说明:图1系显示制造半导体装置之习知制程室之横剖面图;图2系显示依照本发明之第一实施例之制造半导体装置的制程室之横剖面图;图3系显示依照本发明之第二实施例的晶圆温度补偿器之横剖面图。 |
