| 主权项 |
1.一种多变量电浆制程资料之监测及分析系统,包括:一制程腔室,有助于在制程区域内产生电浆;一第一机构,量测至少一制程参数;一第二机构,量测至少一特性参数;一装置,以一数学模型为基础分析来自第一机构及第二机构之资料以改善系统特性;及一装置,以应用于此数学模型之特性参数为基础,调整至少一制程参数,其中,该特性参数至少包括蚀刻率、沈积速度、蚀刻选择性、蚀刻关键尺寸、蚀刻图案非等向性、电浆密度、离子能量、蚀刻幕罩薄膜厚度、光罩图案关键尺寸、自我感应DC基板偏压及峰値对峰値RF基板偏压其中之一;该制程参数至少包括制程压力、制程气体流速、上电极RF电力、制程气体、下电极RF电力、基板温度、电极尺寸、薄膜材料黏性、薄膜材料表面张力、裸露时间及聚焦深度其中之一;以及该数学模型包括一反应表面模型或一神经网路模型。2.如申请专利范围第1项之多变量电浆制程资料之监测及分析系统,其中制程腔室为一蚀刻腔室。3.如申请专利范围第1项之多变量电浆制程资料之监测及分析系统,其中制程腔室包括:一基板,针对制程将其放于适当位置;一气体注入机构,将制程气体导入制程区域;及一真空泵机构,其中此至少一特性参数包括制程气体之特性及制程腔室内的压力。4.如申请专利范围第3项之多变量电浆制程资料之监测及分析系统,其中基板为一晶圆或一液晶显示器。5.如申请专利范围第3项之多变量电浆制程资料之监测及分析系统,更包括一装置,控制基板温度,其中此至少一制程参数包括量测基板温度。6.如申请专利范围第1项之多变量电浆制程资料之监测及分析系统,更包括:一RF产生器,将能量传递至制程腔室以便在制程区域内产生电浆;一气体注入机构,连接制程腔室;及一压力量测装置,连接制程腔室并量测制程腔室内的压力,其中此至少一制程参数包括经由气体注入机构导入制程区域内的制程气体之特性。7.如申请专利范围第1项之多变量电浆制程资料之监测及分析系统,更包括一机械式或一电子式的旋转磁场机构,配置于制程腔室。8.一种多变量电浆制程资料之监测及分析方法,包括:量测电浆制程之特性参数;量测一些电浆制程之谐波参数;确认一电浆制程之数学模型;将量测的特性参数及谐波参数应用至电浆制程之数学模型;以特性参数、谐波参数及应用的数学模型为基础,预测制程参数;及依照应用的数学模型,调整制程参数,其中,该特性参数至少包括蚀刻率、沈积速度、蚀刻选择性、蚀刻关键尺寸、蚀刻图案非等向性、电浆密度、离子能量、蚀刻幕罩薄膜厚度、光罩图案关键尺寸、自我感应DC基板偏压及峰値对峰値RF基板偏压其中之一;该制程参数至少包括制程压力、制程气体流速、上电极RF电力、制程气体、下电极RF电力、基板温度、电极尺寸、薄膜材料黏性、薄膜材料表面张力、裸露时间及聚焦深度其中之一;以及该数学模型包括一反应表面模型或一神经网路模型。9.如申请专利范围第8项之多变量电浆制程资料之监测及分析方法,其中预测内部制程参数。图式简单说明:图1系根据本发明实施例,说明一电浆制程系统;图2系根据本发明另一实施例,说明一电浆制程系统;图3系根据本发明另一实施例,说明一电浆制程系统;图4系根据本发明另一实施例,说明一之电浆制程系统;图5系根据本发明另一实施例,说明一电浆制程系统;图6系为一简化图,说明RF讯号及谐波量测;图7A系为一流程图,根据本发明实施例,说明一反应表面方法;图7B系说明根据本发明实施例之示范反应表面模型;图8系为一流程图,根据本发明实施例,说明一神经网路模型;图9系根据本发明实施例,说明一神经网路模型;图10系根据本发明实施例,说明一完整系统;及图11系根据本发明实施例,说明一神经网路模型。 |
