发明名称 显示装置,半导体装置的制造方法,和显示装置的制造方法
摘要 本发明提供了一种半导体装置和一种半导体装置的制造方法,其中剥离层与具有一弯曲表面的基底相连接,特别提供一种具有一弯曲表面的显示器,更具体的说,提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光装置。一个剥离层转移到薄膜上,该剥离层包含一发光元件,该发光元件藉由使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在基底上,然后弯曲该薄膜和剥离层,以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。
申请公布号 TWI264121 申请公布日期 2006.10.11
申请号 TW091133983 申请日期 2002.11.21
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 高山彻;丸山纯矢;后藤裕吾;桑原秀明;山崎舜平
分类号 H01L29/786;H05B33/10 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种交通工具的显示装置,包含: 一薄膜电晶体;和 一发光元件,其中包含有机化合物的层当成发光层 , 其中该显示装置安装在具有一弯曲表面的交通工 具的底座上,该弯曲表面弯曲成凸形或凹形。 2.如申请专利范围第1项之交通工具的显示装置,其 中该弯曲表面的曲率半径为50cm至200cm。 3.一种提供在交通工具中的显示装置,包含: 具有一弯曲表面的的底座,该弯曲表面弯曲成凸形 或凹形; 一薄膜电晶体在该底座上;和 一发光元件在该底座上,其中包含有机化合物的层 当成发光层。 4.一种半导体装置的制造方法,包含: 在第一基底上形成包含一半导体元件的剥离层; 用第一粘合剂将第二基底与剥离层相粘接,使剥离 层夹在第一基底和第二基底之间; 使剥离层与第一基底分离; 用第二粘合剂将第三基底与剥离层相粘接,使剥离 层夹在第二基底和第三基底之间; 使剥离层与第二基底分离;和,形成剥离层,其中第 二粘合剂和第三基底当成一支架;和 弯曲第三基底, 其中第二粘合剂和第三基底当成一用于剥离层的 支架。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置的制造方法, 其中在分离剥离层和第二基底的过程中,第一粘合 剂在溶剂中溶解并被去除以便分离剥离层和第二 基底。 6.如申请专利范围第4项之半导体装置的制造方法, 其中第一粘合剂是一种光敏性粘合剂,在分离剥离 层和第二基底的过程中,照射光以便分离剥离层和 第二基底。 7.如申请专利范围第4项之半导体装置的制造方法, 其中第一基底和第二基底是其刚度高于第三基底 刚度的材料。 8.如申请专利范围第4项之半导体装置的制造方法, 其中第三基底是一可弯曲的基底。 9.一种半导体装置的制造方法,包含: 在第一基底上形成一个包含半导体元件和发光元 件之一的剥离层,在发光元件中包含有机化合物的 层当成发光层; 用第一粘合剂将第二基底与剥离层相粘接,使剥离 层夹在第一基底和第二基底之间,其中一薄膜涂敷 至第二基底; 使剥离层与第一基底分离; 用第二粘合剂将第三基底与剥离层相粘接,使剥离 层夹在第二基底和第三基底之间; 使薄膜与第二基底分离,形成剥离层,其中薄膜、 第二粘合剂和第三基底当成一支架;和 弯曲第三基底, 其中薄膜、第二粘合剂和第三基底当成一用于剥 离层的支架。 10.如申请专利范围第9项之半导体装置的制造方法 ,其中该薄膜是一个在其两侧或一侧上具有光敏性 粘合剂的带,在分离薄膜和第二基底的过程中,光 进行照射以能分离薄膜和第二基底。 11.如申请专利范围第9项之半导体装置的制造方法 ,其中第一基底和第二基底是其刚度高于第三基底 刚度的材料。 12.如申请专利范围第9项之半导体装置的制造方法 ,其中第三基底是一可弯曲的基底。 13.一种半导体装置的制造方法,包含: 形成一层接近第一基底; 以第一粘合剂粘合第二基底至该层的至少一部份; 将该层和第一基底分离; 以第二粘合剂粘合第三基底至该层的至少一部份; 和 将该层和第二基底分离, 其中该层包含一半导体元件; 其中第三基底的一表面在至少一方向上弯曲;和 其中第二粘合剂和第三基底当成用于该层的至少 一部份的支架。 14.如申请专利范围第13项的半导体装置的制造方 法,其中当照射一雷射时,第一和第二粘合剂至少 之一会释放氢气。 15.如申请专利范围第13项的半导体装置的制造方 法,其中第一和第二粘合剂至少之一以蚀刻移除。 16.如申请专利范围第13项的半导体装置的制造方 法,其中该第三基底至少在一方向为可弯曲的。 17.一种半导体装置的制造方法,包含: 形成一层接近第一基底; 以第一粘合剂粘合第二基底至该层的至少一部份; 将该层和第一基底分离; 以第二粘合剂粘合第三基底至该层的至少一部份; 和 将该层和第二基底分离, 其中该层包含一显示元件; 其中第三基底的一表面在至少一方向上弯曲;和 其中第二粘合剂和第三基底当成用于该层的至少 一部份的支架。 18.如申请专利范围第17项的半导体装置的制造方 法,其中该显示元件为电致发光元件。 19.如申请专利范围第17项的半导体装置的制造方 法,其中该显示元件为液晶元件。 20.如申请专利范围第17项的半导体装置的制造方 法,其中当照射一雷射时,第一和第二粘合剂至少 之一会释放氢气。 21.如申请专利范围第17项的半导体装置的制造方 法,其中第一和第二粘合剂至少之一以蚀刻移除。 22.如申请专利范围第17项的半导体装置的制造方 法,其中该第三基底至少在一方向为可弯曲的。 23.一种提供在一交通工具中的显示装置的制造方 法,该方法包含: 形成一层接近第一基底; 以第一粘合剂粘合第二基底至该层的至少一部份; 将该层和第一基底分离; 粘合在该交通工具中的一表面至该层的至少一部 份;和 将该层和第二基底分离, 其中该层包含一半导体元件。 24.如申请专利范围第23项的显示装置的制造方法, 其中当照射一雷射时,第一粘合剂释放氢气。 25.如申请专利范围第23项的显示装置的制造方法, 其中第一粘合剂以蚀刻移除。 26.一种提供在一交通工具中的显示装置的制造方 法,该方法包含: 形成一层接近第一基底; 以第一粘合剂粘合第二基底至该层的至少一部份; 将该层和第一基底分离; 粘合在该交通工具中的一表面至该层的至少一部 份;和 将该层和第二基底分离, 其中该层包含一显示元件。 27.如申请专利范围第26项的显示装置的制造方法, 其中该显示元件为电致发光元件。 28.如申请专利范围第26项的显示装置的制造方法, 其中该显示元件为液晶元件。 29.如申请专利范围第26项的显示装置的制造方法, 其中当照射一雷射时,第一粘合剂释放氢气。 30.如申请专利范围第26项的显示装置的制造方法, 其中第一粘合剂以蚀刻移除。 31.如申请专利范围第4项之半导体装置的制造方法 ,其中该剥离层和第三基底一起弯曲。 32.如申请专利范围第9项之半导体装置的制造方法 ,其中该剥离层和第三基底一起弯曲。 33.如申请专利范围第13项之半导体装置的制造方 法,其中该剥离层和第三基底一起弯曲。 34.如申请专利范围第17项之半导体装置的制造方 法,其中该剥离层和第三基底一起弯曲。 35.如申请专利范围第23项之显示装置的制造方法, 进一步包含在粘合至该交通工具的一弯曲表面前, 使该层沿该弯曲表面弯曲的步骤。 36.如申请专利范围第27项之显示装置的制造方法, 进一步包含在粘合至该交通工具的一弯曲表面前, 使该层沿该弯曲表面弯曲的步骤。 37.如申请专利范围第1项之交通工具的显示装置, 其中该显示装置为一测量仪器或照明装置。 38.如申请专利范围第3项之显示装置,其中该显示 装置提供在交通工具的仪表板部份、前窗、后窗 、或座位上。 图式简单说明: 图1A至1C是说明本发明一个实施例模式的步骤图; 图2是本发明一个实施例模式中表示方向取向的视 图; 图3是根据本发明实施例1的雷射照射装置结构的 布局图; 图4是根据本发明实施例1的雷射照射装置结构的 另一种布局图; 图5是说明设置有TFT的基底的结构和组成TFT的半导 体区域的排列和雷射光束扫描方向之间的关系图; 图6A至6D是说明沿着半导体膜的雷射光束扫描方向 和制造顶端闸极型TFT的步骤的图; 图7A至7D是说明沿着半导体膜的雷射光束扫描方向 和制造底端闸极型TFT的步骤的图; 图8A至8G是说明本发明实施例3的步骤视图; 图9是说明剥离后n通道型TFT的V-I特性的视图; 图10是说明剥离后p通道型TFT的V-I特性的视图; 图11A至11F是说明本发明实施例4的步骤视图; 图12A和12B是根据本发明实施例4的具有包含一有机 材料的层当成发光层的发光元件的弯曲半导体装 置的外视图; 图13是表示根据本发明实施例5的汽车中在驾驶员 座位前面附近的视图; 图14是表示根据本发明实施例5的汽车后面的后部 份视图;和 图15A至15D是说明本发明实施例6的步骤视图。
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