| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之背面研磨方法,是对表面形成 有复数个电路,外周缘具有略呈半圆形截面形状之 半导体晶圆的背面,藉研磨手段加以研磨,使半导 体晶圆具有规定厚度的方法,其特征为: 在研磨半导体晶圆的背面之前,先对半导体晶圆的 外周缘施加前处理,使其成为对背面的角度为80 度≦≦100度的平面。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之背面 研磨方法,其中 角度为85度≦≦95度。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之背面 研磨方法,其中 该项前处理是藉由旋转切断具切断半导体晶圆的 外周缘而为之。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之背面 研磨方法,其中 该项前处理是藉由旋转研磨具研磨半导体晶圆的 外周缘而为之。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之背面 研磨方法,其中 在施加该项前处理之前或之后,在半导体晶圆的表 面黏贴保护贴布,使该保护贴布的外周缘与半导体 晶圆的外周缘实质上对齐。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆之背面 研磨方法,其中 在半导体晶圆的表面,除了外周缘部以外,其余部 分施加有保护复数个电路用的保护被覆,而在该项 前处理时,使保护被覆的外周缘与半导体晶圆的外 周缘实质上对齐。 图式简单说明: 第1图是表示藉由本发明之背面研磨方法研磨背面 的半导体晶圆之典型例子的斜面图。 第2图是表示第1图之半导体晶圆的周缘部的截面 图。 第3图是表示在第1图之半导体晶圆的表面黏贴保 护贴布后,将其背面朝上方载置于吸盘上之状态的 截面图。 第4图是表示施加于第1图之半导体晶圆的外周缘 的前处理的一种形式的截面图。 第5图是表示施加于第1图之半导体晶圆的外周缘 的前处理的另一种形式的截面图。 第6图是表示在第1图之半导体晶圆的外周缘施加 前处理后,研磨其背面的形式的截面图。 第7图是表示在表面施加保护被覆的半导体晶圆的 截面图。 |
