| 主权项 |
1.一种单结晶半导体之制造方法,使添加有杂质之 种子结晶接触到坩埚内之熔液,藉由牵引种子结晶 来制造单结晶半导体, 其特征在于包含: 施加磁场于熔液之工序; 使熔液接触到种子结晶之工序;以及 在种子结晶接触到熔液后,不实施缩颈处理而牵引 单结晶半导体之工序。 2.如申请专利范围第1项所述之单结晶半导体之制 造方法,其中,在使熔液接触到种子结晶之前,施加 磁场到熔液。 3.如申请专利范围第1项所述之单结晶半导体之制 造方法,其中,磁场强度系1500高斯以上。 4.如申请专利范围第1项所述之单结晶半导体之制 造方法,其中,添加到种子结晶而作为杂质之硼的 浓度,系1el8atoms/cc以上。 5.如申请专利范围第1项所述之单结晶半导体之制 造方法,其中,种子结晶接触到熔液后之最小结晶 直径系4mm以上。 图式简单说明: 第1图系表示本发明实施形态之单结晶牵引装置之 示意图。 第2图系表示种子结晶与熔液之温度差与最高解析 剪断应力间之关系之曲线图。 第3图系表示种子结晶直径与种子结晶中杂质浓度 与容许温度差间之关系之曲线图。 第4图系表示为了比较施加与不施加磁场于熔液而 实施实验之结果图表。 第5图系表示与第1图不同之单结晶牵引装置之示 意图。 第6图系表示添加到种子结晶的各种元素与未导入 热冲击错位之浓度范围间之关系的图表。 第7图系表示矽结晶直径与耐负荷间之关系之曲线 图。 第8图系表示缓冲颈部之示意图。 第9图系表示接触熔液后之结晶成长部示意图。 |
