发明名称 资料输出驱动器
摘要 一种用于半导体记忆体装置之资料输出驱动器,其包含一上拉驱动单元,该上拉驱动单元具有N个单元上拉驱动器及N个上拉电阻,并根据一上拉资料讯号藉由选定之上拉控制讯号上拉驱动该输出端而导通;该下拉控制讯号具有N个单元下拉驱动器及N个下拉电阻,并根据一下拉资料讯号藉由选定之下拉控制讯号下拉驱动该输出端而导通,其中该N个单元上拉驱动器具有相同的驱动强度,该 N个上拉电阻连接于该输出端及该N个单元上拉驱动器之间,该N个单元下拉驱动器之每一者皆具有相同的驱动强度,且该N个下拉电阻连接于该输出端及该N个单元下拉驱动器之间。
申请公布号 TWI264005 申请公布日期 2006.10.11
申请号 TW093118420 申请日期 2004.06.25
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 刘圣锺
分类号 G11C11/4093;H03K19/0175 主分类号 G11C11/4093
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;林荣琳 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种资料输出驱动器,以线性正比于受致动之N个 上拉控制讯号及N个下拉控制讯号之总数以增加其 输出端驱动强度,其包含: 一上拉驱动单元,具有N个单元上拉驱动器及N个上 拉电阻,根据一上拉资料讯号藉由所选定之上拉控 制讯号上拉驱动该输出端而导通;及 一下拉驱动单元,具有N个单元下拉驱动器及N个下 拉电阻,且该下拉驱动单元根据一下拉资料讯号藉 由所选定之下拉控制讯号下拉驱动该输出端而导 通, 其中,该些N个单元上拉驱动器之每一个具有相同 的驱动强度;该N个上拉电阻系连接于该输出端及 该N个单元上拉驱动器之间;该N个单元下拉驱动器 之每一者皆具有相同的驱动强度,且该N个下拉电 阻连接于该输出端及该N个单元下拉驱动器之间。 2.如申请专利范围第1项所述之资料输出驱动器,其 中该单元上拉驱动器包含: 一第一上拉PMOS电晶体,藉由该上拉控制讯号所导 通,以将一电源供应电压传输至该输出端;及 一第二上拉PMOS电晶体,藉由该上拉控制讯号所导 通,以将该电源供应电压传输至该输出端。 3.如申请专利范围第2项所述之资料输出驱动器,其 中该单元下拉驱动器包含: 一第一下拉NMOS电晶体,藉由该下拉控制讯号所导 通,似将一地电压传输至该输出端,及 一第二下拉NMOS电晶体,藉由该下拉资料讯号所导 通,以将该地电压传输至该输出端。 4.一种资料上拉驱动器,以线性正比于受致动之N个 上拉控制讯号之数目以增加其输出端驱动强度,其 包含: N-L个第一单元上拉驱动器,根据一第一上拉资料讯 号分别藉由N-L个上拉控制讯号上拉驱动该输出端 而导通; L个第二单元下拉驱动器,根据一第二上拉资料讯 号分别藉由L个上拉控制讯号上拉驱动该输出端而 导通;及 N个上拉电阻,连接于该输出端及该N个第一及第二 单元上拉驱动器之间, 其中,该L个上拉控制讯号不包含该N-L个上拉控制 讯号之任一者。 5.如申请专利范围第4项所述之资料上拉驱动器,其 中该第一单元上拉驱动器之每一者皆包含: 一第一上拉PMOS电晶体,藉由该上拉控制讯号之一 者所导通,以将一电源供应电压传输至该输出端; 及 一第二上拉PMOS电晶体,藉由该第一上拉资料讯号 或第二上拉资料讯号所导通,以将该电源供应电压 传输至该输出端。 6.如申请专利范围第5项所述之资料上拉驱动器,其 中该第二单元上拉驱动器之每一个包含: 一第三上拉PMOS电晶体,藉由该上拉控制讯号之一 者所导通,以将该电源供应电压传输至该输出端; 及 一第四上拉PMOS电晶体,藉由该第一上拉资料讯号 或第二上拉资料讯号所导通,以将该电源供应电压 传输至该输出端。 7.一种资料下拉驱动器,以线性正比于受致动之N个 下拉控制讯号之数目以增加其输出端驱动强度,其 包含: N-L个第一单元下拉驱动器,根据一第一下拉资料讯 号分别藉由N-L个下拉控制讯号下拉驱动该输出端 而导通; L个第二单元下拉驱动器,根据一第二下拉资料讯 号分别藉由L个下拉控制讯号下拉驱动该输出端而 导通;及 N个下拉电阻,连接于该输出端及该N个第一及第二 单元下拉驱动器之间, 其中该L个下拉控制讯号不包含该N-L个下拉控制讯 号之任一者。 8.如申请专利范围第7项所述之资料下拉驱动器,其 中该第一单元下拉驱动器之每一者皆包含: 一第一下拉NMOS电晶体,藉由该下拉控制讯号之一 者所导通,用以将一电源供应电压传输至该输出端 ;及 一第二下拉NMOS电晶体,藉由该第一下拉资料讯号 或该第二下拉资料讯号所导通,用以将该电源供应 电压传输至该输出端。 9.如申请专利范围第8项所述之资料一下拉驱动器, 其中该第二单元下拉驱动器之每一者皆包含: 一第三下拉NMOS电晶体,藉由该下拉控制讯号之一 者所导通,用以将该电源供应电压传输至该输出端 ;及 一第四下拉NMOS电晶体,藉由该第一下拉资料讯号 或该第二下拉资料讯号所导通,用以将该电源供应 电压传输至该输出端。 10.一种用于一半导体记忆体装置之上拉驱动器,以 线性正比于受致动之第一至第七上拉控制讯号之 数目增加其输出端驱动强度,其至少包含: 一第一单元上拉驱动器,包含一第一上拉PMOS电晶 体藉由一第一上拉资料讯号所导通,用以将一电源 供应电压传输至该输出端,一第二上拉PMOS电晶体 藉由第一上拉控制讯号所导通,用以将该电源供应 电压传输至该输出端,一第一电阻连接于该输出端 及该第一与第二上拉PMOS电晶体之间; 一第二单元上拉驱动器,包含一第三上拉PMOS电晶 体藉由该第一上拉资料讯号所导通,用以将该电源 供应电压传输至该输出端,一第四上拉PMOS电晶体 藉由该第二上拉控制讯号所导通,用以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第二电阻连接于该输出 端及该第三与第四PMOS电晶体之间; 一第三单元上拉驱动器,包含一第五上拉PMOS电晶 体藉由一第二上拉资料讯号所导通,用以将该电源 供应电压传输至该输出端,一第六上拉PMOS电晶体 藉由该第三上拉控制讯号所导通,用以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第三电阻连接于该输出 端及该第五与第六上拉PMOS电晶体间; 一第四单元上拉驱动器,包含一第七上拉PMOS电晶 体藉由该第二上拉资料讯号所导通,用以将该电源 供应电压传输至该输出端,一第八上拉PMOS电晶体 藉由该第四上拉控制讯号所导通,用以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第四电阻连接于该输出 端及该第七与第八PMOS电晶体之间; 一第五单元上拉驱动器,包含一第九上拉PMOS电晶 体藉由该第二上拉资料讯号所导通,用以将该电源 供应电压传输至该输出端,一第十上拉PMOS电晶体 藉由该第五上拉控制讯号所导通,用以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第五电阻连接于该输出 端及该第九与第十上拉PMOS电晶体之间; 一第六单元上拉驱动器,包含一第十一上拉PMOS电 晶体藉由该第二上拉资料讯号所导通,用以将该电 源供应电压传输至该输出端,一第十二上拉PMOS电 晶体藉由该第六上拉控制讯号所导通,用以将该电 源供应电压传输至该输出端,藉由第六电阻连接于 该输出端及该第十一与第十二上拉PMOS电晶体之间 ;及 一第七单元上拉驱动器,包含一第十三上拉PMOS电 晶体藉由该第二上拉资料讯号所导通,用以将该电 源供应电压传输至该输出端,该第十四上拉PMOS电 晶体藉由该上拉控制讯号所导通,用以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第七电阻连接于该输出 端及该第十三及第十四上拉PMOS电晶体之间。 11.一种用于一半导体记忆体装置之下拉驱动器,以 线性正比于受致动之第一至第七下拉控制讯号之 数目以减低其输出端驱动强度,其包含: 一第一单元下拉驱动器,包含一第一下拉NMOS电晶 体藉由一第一下拉资料讯号所导通,用以将一电源 供应电压传输至该输出端,一第二下拉NMOS电晶体 藉由该第一下拉控制讯号所导通,用以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第一电阻连接于该输出 端及该第一及第二下拉PMOS电晶体之间; 一第二单元下拉驱动器,包含一第三下拉NMOS电晶 体藉由该第一下拉资料讯号所导通,以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第四下拉NMOS电晶体藉 由该第二下拉控制讯号所导通,以将该电源供应电 压传输至该输出端,一第二电阻连接于该输出端及 该第三与第四下拉NMOS电晶体之间; 一第三单元下拉驱动器,包含一第五下拉NMOS电晶 体藉由一第二下拉资料讯号所导通,以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第六下拉NMOS电晶体藉 由该第三下拉控制讯号所导通,以将该电源供应电 压传输至该输出端:一第三电阻连接于该输出端及 该第五与第六下拉NMOS电晶体之间; 一第四单元下拉驱动器,包含一第七下拉NMOS电晶 体藉由该第二下拉资料一讯号所导通,以将该电源 供应电压传输至该输出端,一第八下拉NMOS电晶体 藉由该第四下拉控制讯号所导通,以将该电源供应 电压传输至该输出端,一第四电阻连接于该输出端 及该第七与第八下拉NMOS电晶体之间; 一第五单元下拉驱动器,包含一第九下拉NMOS电晶 体藉由一第二下拉资料讯号所导通,以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第十上拉NMOS电晶体藉 由该第五下拉控制讯号所导通,以将该电源供应电 压传输至该输出端,一第五电阻连接于该输出端及 该第九与第十下拉NMOS电晶体之间; 一第六单元下拉驱动器,包含一第十一NMOS电晶体 、藉由该第二下拉资料讯号所导通,以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第十二下拉NMOS电晶体 藉由该第六下拉控制讯号所导通,以将该电源供应 电压传输至该输出端,一第六电阻连接于该输出端 及该第十一与第十二下拉NMOS电晶体之间;及 一第七单元下拉驱动器,包含一第十三下拉NMOS电 品体藉由该第二下拉资料讯号所导通,以将该电源 供应电压传输至该输出端,一第十四下拉NMOS电晶 体藉由该第七下拉控制讯号所导通,以将该电源供 应电压传输至该输出端,一第七电阻连接在该输出 端及该第十三与第十四下拉NMOS电晶体之间。 图式简单说明: 第1图为一晶片组及一传统DDR SDRAM闸之资料介面的 方块图; 第2图为该传统DDR SDRAM中一资料输出驱动器之电路 示意图; 第3图为该传统DDR SDRAM中一进阶资料输出驱动器之 电路示意图; 第4图为本发明中一DDR2 SDRAM中一资料输出单元之 方块图; 第5图为第4图所示本发明一较佳实施例中一资料 输出驱动器之方块图; 第6A图及第6B图分别为本发明较佳实施例中该资料 输出驱动器之一上拉驱动器及一下拉驱动器的方 块图; 第7A图为第6A图中一单元上拉驱动器之电路示意图 ; 第7B图为第6B图中一单元下拉驱动器之电路示意图 ; 第8A图为本发明另一较佳实施例中该资料输出驱 动器之一上拉驱动器的方块图; 第8B图为本发明另一较佳实施例中该资料输出驱 动器之一下拉驱动器的方块图;及 第9A图及第9B图分别为本发明另一实施例中资料输 出驱动器之上拉驱动器及下拉驱动器的电路示意 图。
地址 韩国