| 主权项 |
1.一种药液处理装置,具有在内部设置被处理构件 之药液处理杯及令药液向该药液处理杯内流通之 泵装置,并以被处理构件之被处理面朝上之面朝上 方式对该被处理面进行药液处理, 其特征在于: 在构造上在令该药液沿着该被处理面总是实质上 朝固定方向而且以300/秒以上之速度斜率流通下, 对被处理面进行药液处理。 2.如申请专利范围第1项之药液处理装置,其中,该 药液处理杯具有药液之供给口和排出口,在该药液 排出口配置可调整其有效开口面积之调整构件。 3.如申请专利范围第1项之药液处理装置,其中,在 该药液处理杯内配置和该被处理面相向之流速调 整板。 4.一种药液处理方法,在药液处理杯内设置在被处 理面具有开口之复数盲孔之被处理构件,使得该被 处理面朝上,对该被处理面进行药液处理, 其特征在于: 在令该药液沿着该被处理面总是实质上朝固定方 向而且以300/秒以上之速度斜率流通下,处理该被 处理面,其中,该被处理构件系在被处理面具有开 口之复数盲孔之半导体晶圆,利用该药液进行该盲 孔内之洗净处理。 5.一种药液处理方法,在药液处理杯内设置在被处 理面具有开口之复数盲孔之被处理构件,使得该被 处理面朝上,对该被处理面进行药液处理, 其特征在于: 在令该药液沿着该被处理面总是实质上朝固定方 向而且以300/秒以上之速度斜率流通下,处理该被 处理面,其中,该被处理构件系在被处理面具有开 口之复数盲孔之半导体晶圆,在利用该药液对该盲 孔进行电镀处理。 6.如申请专利范围第4或5项之药液处理方法,其中, 该盲孔之宽高比系2以下。 7.一种半导体装置之制造方法,包括对于在被处理 面具有开口之复数盲孔之半导体晶圆之药液处理 制程, 其特征在于: 在该药液处理制程,在药液处理杯内设置半导体晶 圆,使得该被处理面朝上,在令该药液沿着该被处 理面总是实质上朝固定方向而且以300/秒以上之速 度斜率流通下,处理该被处理面,且在该药液处理 制程进行该盲孔内之洗净处理。 8.一种半导体装置之制造方法,包括对于在被处理 面具有开口之复数盲孔之半导体晶圆之药液处理 制程, 其特征在于: 在该药液处理制程,在药液处理杯内设置半导体晶 圆,使得该被处理面朝上,在令该药液沿着该被处 理面总是实质上朝固定方向而且以300/秒以上之速 度斜率流通下,处理该被处理面,且在该药液处理 制程,对该盲孔进行电镀处理。 9.如申请专利范围第7或8项之半导体装置之制造方 法,其中,该盲孔之宽高比系2以下。 图式简单说明: 图1系表示在本发明之药液处理方法及半导体装置 之制造方法使用之本发明之药液处理装置之实施 形态1之构造图。 图2系表示在实施形态1之药液处理杯之剖面图。 图3系表示本发明之被处理构件之一部分和药液之 流动之模式剖面图。 图4系本发明之被处理面上之药液之流动之说明图 。 图5系表示药液处理时间和气泡除去率之关系之实 验结果之图。 图6系表示在本发明之药液处理装置之实施形态2 之药液处理杯之剖面图。 图7系表示在本发明之药液处理装置之实施形态3 之药液处理杯之剖面图。 |
