| 发明名称 | 使用填充凹进区的声谐振器的性能增强 | ||
| 摘要 | 一种声谐振器包括衬底、第一电极、压电材料层、第二电极和填充区。第一电极与衬底相邻，并且第一电极具有外周边。压电层与第一电极相邻。第二电极与压电层相邻，并且第二电极具有外周边。填充区在第一和第二电极之一中。 | ||
| 申请公布号 | CN1845453A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200510124296.9 | 申请日期 | 2005.11.29 |
| 申请人 | 安捷伦科技有限公司 | 发明人 | 罗纳德·S·法齐欧;理查德·C·卢比 |
| 分类号 | H03H9/02(2006.01);H03H9/15(2006.01) | 主分类号 | H03H9/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 1.一种声谐振器，包括：衬底；与所述衬底相邻的第一电极，其中所述第一电极具有外周边；与所述第一电极相邻的压电层；与所述压电层相邻的第二电极，其中所述第二电极具有外周边；以及在所述第一和第二电极之一中的填充区。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||