| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管包括：基板上的硅纳米线，硅纳米线具有中间部分和中间部分的两侧部分；位于中间部分上的栅极；以及在两侧部分上的源极和与源极分隔开的漏极，其中源极和漏极分别电连接到硅纳米线。 | ||
| 申请公布号 | CN1845341A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200610073140.7 | 申请日期 | 2006.04.06 |
| 申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 蔡基成;朴美暻 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;祁建国 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管，包括：位于基板上的硅纳米线，其中所述硅纳米线具有中间部分和中间部分的各侧部分；位于所述中间部分上的栅极；以及位于各侧部分上的源极和与所述源极分隔开的漏极，其中所述源极和漏极电连接到所述硅纳米线。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||