发明名称 |
半导体存储器件 |
摘要 |
提供一种半导体存储器件,不增加芯片面积,就可以实现可靠性提高和合格率提高等高性能。该半导体存储器件是可写入和擦除数据、且在没提供电压期间也能保存该数据的非易失性半导体存储器件,具备存储单元,该存储单元包括可分别存储对应数据的静电荷的第1局部电荷部和第2局部电荷部,第2局部电荷部通过存储与应该存储在第1局部电荷部中的静电荷对应的静电荷,来补充第1局部电荷部。 |
申请公布号 |
CN1845255A |
申请公布日期 |
2006.10.11 |
申请号 |
CN200610074181.8 |
申请日期 |
2006.04.07 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
椋木敏夫 |
分类号 |
G11C29/00(2006.01);G11C29/24(2006.01) |
主分类号 |
G11C29/00(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
陈英俊 |
主权项 |
1.一种半导体存储器件,是可写入和擦除数据、且在没供给电压期间也能保存该数据的非易失性的半导体存储器件,其特征在于,具备存储单元,该存储单元包含可分别存储对应上述数据的静电荷的第1局部电荷部及第2局部电荷部;上述第2局部电荷部通过存储与应该存储在上述第1局部电荷部的静电荷对应的静电荷,来补充上述第1局部电荷部。 |
地址 |
日本大阪府 |