发明名称 | 一种多孔聚合物压电驻极体薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明属功能材料技术领域,具体为一种多孔聚合物压电驻极体薄膜的制备方法。该方法包括多孔聚合物薄膜的制备和充电两个部分,其中,多孔聚合物薄膜的制备过程为:将不同熔点的聚合物薄膜层叠成为复合膜系,在膜的一面或两面设置栅网,然后在一定温度下施压,压力为1MPa-10MPa,时间为2-120分钟。然后对复合膜系进行充电,充电方式可以采用电晕充电、接触式充电或电子束充电。本发明方法工艺简单,能获得高热稳定性和高电压活性的多孔聚合物压电驻极体薄膜。 | ||
申请公布号 | CN1845353A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
申请号 | CN200610025009.3 | 申请日期 | 2006.03.23 |
申请人 | 同济大学 | 发明人 | 张晓青;夏钟福 |
分类号 | H01L41/26(2006.01) | 主分类号 | H01L41/26(2006.01) |
代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
主权项 | 1、一种多孔聚合物压电驻极体薄膜的制备方法,包括多孔聚合物薄膜的制备和对该薄膜进行充电两个部分,其特征在于多孔聚合物薄膜的制备过程如下:将一种、或两种、或两种以上不同熔点的聚合物薄膜层叠成为复合膜系,并在薄膜的一面或两面放置栅网,然后在高于或等于薄膜1熔点,低于或等于薄膜2熔点的温区内的一定值T下向复合膜系施加压力P,经过时间t形成多孔膜,P的范围是1kPa-10MPa,t的范围是2min-120min;这里,薄膜1为聚合物薄膜中最低熔点的薄膜,薄膜2为聚合物薄膜中最高熔点的薄膜;所述聚合物为PTFE、FEP、COC、PET、PI、PE、PEN或PP。 | ||
地址 | 200092上海市四平路1239号 |