性能改善的双扩散金属氧化物半导体的晶体管结构

摘要

提供一种凹槽DMOS晶体管结构，其包括至少三个在第一导电型的衬底上形成的独立凹槽DMOS晶体管单元。多个独立DMOS晶体管单元被分为外围晶体管单元和内部晶体管单元。每个独立晶体管单元包含位于衬底上的第二导电型体区。至少有一条凹槽延伸穿过体区和衬底。绝缘层与凹槽对齐。凹槽中有一设在绝缘层上的导电电极。每个内部晶体管单元(不是外围晶体管单元)还包括第一导电型的源区，其位于与凹槽相邻的体区中。

主权项

1.一种凹槽DMOS晶体管结构，该结构包括在具有第一导电型衬底上形成的至少三个独立凹槽DMOS晶体管单元，所述多个独立DMOS晶体管单元被分为位于所述结构的外围上的外围晶体管单元和位于所述结构的外围的内部的内部晶体管单元，每个所述独立晶体管单元包括：位于衬底上的体区，所述体区具有第二种导电类型；至少一条凹槽延伸到体区中；衬在凹槽内的绝缘层；导电电极，在凹槽中设在所述绝缘层上；以及其中，每个所述内部晶体管单元而不是所述外围晶体管单元，还包括在接近所述凹槽的体区中的具有第一导电类型的源区，且所述外围晶体管单元体区的掺杂程度要轻于所述内部晶体管单元体区的掺杂程度。