一种锗硅肖特基二极管

摘要

本实用新型涉及锗硅肖特基二极管，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的铝电极。这种结构的锗硅肖特基二极管由于其锗硅层只存在于氮化硅光刻窗口处，因此能有效地降低器件的反向漏电流，且器件制造无须任何隔离，简化了工艺，提高了集成度。

主权项

1.一种锗硅肖特基二极管，包括硅衬底(1)、锗硅层(2)、开有窗口的氮化硅层(3)、镍硅化合物层(4)、铝电极(5)以及欧姆接触电极(6)，其特征在于欧姆接触电极(6)、硅衬底(1)和开有窗口的氮化硅层(3)自下而上依次迭置，锗硅层(2)和镍硅化合物层(4)在氮化硅层(3)的窗口内，其中镍硅化合物层(4)在锗硅层(2)的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层(4)接触的铝电极(5)。