| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法、电路基板以及电子仪器 | ||
| 摘要 | 在形成了集成电路(12)的半导体基板(10)上从第一面形成凹部(22)。在凹部(22)的内表面上设置绝缘层(28)。在绝缘层(28)的内侧设置第一导电部(30)。在绝缘层(28)的内侧、第一导电部(30)上由与第一导电部(30)不同的材料形成第二导电部(32)。使第一导电部(30)从半导体基板(10)上与第一面(20)相反一侧的第二面(38)露出。 | ||
| 申请公布号 | CN1279605C | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN03800707.X | 申请日期 | 2003.03.19 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宫泽郁也 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L25/065(2006.01);H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张天安;郑建晖 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：(a)在形成了集成电路的半导体基板上从第一面形成凹部，(b)在上述凹部的内表面上设置绝缘层，(c)在上述绝缘层的内侧设置第一导电部，(d)在上述绝缘层的内侧、上述第一导电部上，由与上述第一导电部不同的材料形成第二导电部，(e)使上述第一导电部从上述半导体基板上与上述第一面相反一侧的第二面露出，上述(e)工序包括(e1)工序：通过具有对上述半导体基板的蚀刻量大于对上述绝缘层的蚀刻量的性质的第一蚀刻剂，对上述半导体基板的上述第二面进行蚀刻，在由上述绝缘层覆盖的状态下使上述第一导电部突出，(e2)工序：通过具有在上述第一导电部上不形成残留物地对至少上述绝缘层进行蚀刻的性质的第二蚀刻剂，使上述第一导电部露出。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||