| 发明名称 | 栅电极叠层和栅电极叠层的使用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件中的衬底上的栅电极叠层，其包括具有下述的栅极导体：a)至少一个多晶硅层，和b)至少一个多晶Si<SUB>1－x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>材料层。本发明还涉及工艺。由于实现了终点检测，因此能够有效地刻蚀这种结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1845336A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200610074341.9 | 申请日期 | 2006.04.07 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | U·埃格尔;M·戈德巴赫;吴东平 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/43(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;梁永 |
| 主权项 | 1.在半导体器件中的衬底上的栅电极叠层，包括具有下述的栅极导体：a)至少一个多晶硅层，和b)至少一个多晶Si1-xGex材料层。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||