| 发明名称 | 非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法 | ||
| 摘要 | 一种非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法，所述的非化学计量比镁铝尖晶石单晶体的结构式为MgO·(Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)<SUB> n</SUB>，其中n＝1.3，1.5，2.0，2.3，2.5，2.7，3.0，3.5，4.5，5.0，其制备方法如下：(1)根据选定的n值，配比相应的MgO和Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>原料；(2)在中性气氛下烧结原料；(3)中性气氛下，用中频感应加热单晶炉用提拉法生长出晶体。选择适当的n值，晶体可形成不同的光学效应和作为不同的材料用途，尤其在n＝3尖晶石同GaN材料之间的晶格失配小，易于加工，可以形成高质量的GaN衬底材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1844492A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200610024952.2 | 申请日期 | 2006.03.22 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 吴锋;夏长泰;徐军;裴广庆;张俊刚;吴永庆 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01);C30B15/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/22(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法，其特征是：所述的非化学计量比镁铝尖晶石单晶体的结构式为MgO·(Al2O3)n，其中n＝1.3，1.5，2.0，2.3，2.5，2.7，3.0，3.5，4.5，5.0，其制备方法如下：(1)根据选定的n值，配比相应的MgO和Al2O3原料；(2)在中性气氛下烧结原料；(3)中性气氛下，用中频感应加热单晶炉用提拉法生长出晶体。 | ||
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