| 发明名称 | 除去氮化硅膜的方法 | ||
| 摘要 | 为了选择性地除去半导体装置中接触孔等底部上形成的氮化硅膜，用供应的生产气体进行等离子刻蚀，所述生产气体由具有碳碳键的第一氟化合物(例如，八氟环丁烷(C<SUB>4</SUB>F<SUB>8</SUB>)、六氟丁二烯(C<SUB>4</SUB>F<SUB>6</SUB>)、八氟环戊烯(C<SUB>5</SUB>F<SUB>8</SUB>)等)和在一个分子中包括至少一个氢原子和一个单独碳原子的第二氟化合物(例如，一氟甲烷(CH<SUB>3</SUB>F)、二氟甲烷(CH<SUB>2</SUB>F<SUB>2</SUB>)、三氟甲烷(CHF<SUB>3</SUB>)等)组成。根据该方法，可以将底部的氮化硅膜选择性地除去，而不会除去在接触孔等的侧壁上形成的氮化硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1279587C | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN02118173.X | 申请日期 | 2002.04.23 |
| 申请人 | 日本电气株式会社;株式会社日立制作所;恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 上田靖彦 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李悦 |
| 主权项 | 1.一种除去材料表面上形成的氮化硅膜的方法，包括如下步骤：供应生产气体，所述气体含有包括碳原子-碳原子键的第一氟化合物和在一个分子中包括至少一个氢原子和一个单独碳原子的第二氟化合物，其中所述第一氟化合物是八氟环丁烷(C4F8)、六氟丁二烯(C4F6)、八氟环戊烯(C5F8)中的至少一种，其中所述的第二氟化合物是一氟甲烷(CH3F)、二氟甲烷(CH2F2)和三氟甲烷(CHF3)中的至少一种；和用所述生产气体进行干法刻蚀以除去所述氮化硅膜。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||