| 发明名称 | 制作金属氧化物半导体晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 一种制作MOS晶体管的方法。首先，提供一基底，该基底上包括多个NMOS晶体管区与多个PMOS晶体管区，且该基底包括多个栅极结构，分别设置于各该NMOS晶体管区与各该PMOS晶体管区。接着于该基底上形成一高张力薄膜(high tensile thin film)，且该高张力薄膜覆盖各该栅极结构的表面，并进行一退火工艺。最后去除该高张力薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1845304A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200510063833.3 | 申请日期 | 2005.04.08 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘毅成;陈文吉;张子云;蓝邦强;黄正同;萧维沧;廖宽仰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制作MOS晶体管的方法，包括：提供一基底，该基底上包括多个NMOS晶体管区与多个PMOS晶体管区，该基底还包括多个栅极结构，分别设置于各该NMOS晶体管区与各该PMOS晶体管区；于该基底上形成一高张力薄膜(high tensile thin film)，且该高张力薄膜覆盖各该栅极结构的表面；进行一退火工艺；以及去除该高张力薄膜。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||