| 发明名称 | 具有电容器的集成电路装置及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明尤其涉及一种集成电路(10)，其包括同步制备的电容器(64)和精密电阻器(57)。电容器(64)的电介质(68)优选地通过阳极氧化制备。基底层(58，71)用于保护待阳极氧化的材料(66)，所述层还防止周围区域阳极氧化。这样可以制备极高质量的电介质(68)和极高质量的电容器(64)以及集成电路(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN1846296A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200480025393.6 | 申请日期 | 2004.07.21 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | T·格贝尔;J·赫尔内德;H·克尔纳;A·米切尔;M·施维尔德;M·泽克;H·托尔维斯滕 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;陈景峻 |
| 主权项 | 1.一种集成电路装置(10)，具有电容器(64)，其包括由金属或金属合金制成的导电的底部电极(66)，由底部电极(66)中包含的材料的氧化物形成并生长在底部电极(66)上的电介质(68)，以及导电的覆盖电极(70)，电学绝缘基底层(71)，其包括与电介质(68)相邻的切口(108)，安置在面对电介质(68)的底部电极(66)的一侧上。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||