| 发明名称 | 用于存储开关的受控衬底电压 | ||
| 摘要 | 存储器件中的体触点的活动控制能在器件工作期间提供可变的衬底电压。体触点可用于调整激活的存储单元中开关的体偏置，同时维持不活动的存储单元中开关的体偏置。这就能降低体效应(即是由于衬底或本体电压的变化所引起的阈值电压的变化)并且因此能够在激活字线(WL)的同时提供改善的矩阵器件性能(例如降低数据不纯)。 | ||
| 申请公布号 | CN1846274A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200480024932.4 | 申请日期 | 2004.08.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | P·佩赫米勒 |
| 分类号 | G11C5/14(2006.01);G11C11/404(2006.01);G11C11/4074(2006.01) | 主分类号 | G11C5/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;魏军 |
| 主权项 | 1.一种DRAM设备，包括：一个存储单元，包括具有衬底井的晶体管；和一个与所述衬底井耦合的电压调整器，用于调整所述衬底井上的电压。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||