| 主权项 |
1.直拉式晶体生长炉自动控制方法，其特征在于采用的步骤如下：1)加料：将硅晶体原材料(9)放到坩埚(6)内；2)氩气保护控制：利用氩气保护控制模块(20)进行控制，即启动真空泵(15)对炉筒(2)与提升腔(1)抽真空到10-6ar～10-5bar→氩气充气部件(16)向炉筒(2)与提升腔(1)内充氩气到常压→再抽真空到10-6bar～10-5bar→再充氩气到常压，反复6～8次后停止；3)熔晶：启动坩埚加热控制部件(12)与冷却水(13)，并利用坩埚加热与冷却控制模块(17)控制坩埚加热控制部件的功率和冷却水的流量，综合控制坩埚内的普通硅原材料加热熔化，以及对炉筒外壳的冷却，避免高温影响安装在炉筒上的其他部件和传感器；4)引晶放肩：硅晶体原材料全部熔化后，启动坩埚与籽晶升降控制模块(18)，综合控制将结晶的硅单晶拉出液面的速度，使籽晶以每小时1cm～2cm的低速上升，并确保单晶直径传感器(14)始终对准液面结晶位置(10)，同时启动坩埚与籽晶旋转控制模块(19)，使籽晶与坩埚以每分钟10～20转的速度旋转，提高单晶产品的均匀性，最终使得单晶硅在籽晶周围形成一个圆锥；5)等径控制：拉出来的单晶直径到达标准直径时，启动单晶直径控制模块(21)，利用CCD摄像或红外测量仪获得晶体在结晶点上的直径大小，以便控制算法实时调节籽晶提升速度，并综合考虑加热温度、坩埚提升、坩埚与籽晶旋转四个方面因素的影响，进行协调控制；6)收尾：晶体生长完成后，关闭单晶直径控制模块(21)、坩埚与籽晶旋转控制模块(19)、坩埚与籽晶升降控制(18)三个模块，坩埚(6)下降到底；7)冷却：关闭坩埚加热与冷却控制模块(17)中的加热部分；8)取出产品：等炉简内温度降到常温后，关闭坩埚加热与冷却控制模块(17)中的冷却部分，打开炉筒，取出单晶硅产品。 |
