| 发明名称 | 整合具有不同功函数的金属以形成具有高K栅极电介质及相关结构的互补金属氧化物半导体栅极的方法 | ||
| 摘要 | 依据一个示意性的实施例，提供一种在衬底(202)上整合第一(206)与第二金属层(208)以形成双金属NMOS栅极(226)及PMOS栅极(228)的方法，该方法包括在衬底(202)的NMOS区域(210)与PMOS区域(212)上沉积(150)介电层(204)。此方法还包括在介电层(204)上沉积(150)第一金属层(206)。此方法还包括在第一金属层(206)上沉积(150)第二金属层(208)。此方法还包括在衬底(202)的NMOS区域(210)中注入(152)氮，再将第一金属层(206)的第一部分转化(154)成金属氧化物层(220)以及将第一金属层(206)的第二部分转化成金属氮化物层(218)。此方法还包括形成(156)NMOS栅极(226)及PMOS栅极(228)，其中NMOS栅极(226)包括金属氮化物层(218)的区段(234)，且PMOS栅极(228)包括金属氧化物层(220)的区段(242)。 | ||
| 申请公布号 | CN1846305A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200480025535.9 | 申请日期 | 2004.08.31 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | 相奇;H·钟;J－S·古;A·K·霍尔布鲁克;J·S·千;G·J·克拉思 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括下述步骤：在衬底(202)的N型金属氧化物半导体区域(210)与P型金属氧化物半导体区域(212)上沉积(150)介电层(204)；在该介电层(204)上沉积(150)第一金属层(206)；在该衬底(202)的该N型金属氧化物半导体区域(210)中注入(152)氮；将该第一金属层(206)的第一部分转化(154)成金属氧化物层(220)以及将该第一金属层(206)的第二部分转化成金属氮化物层(218)；形成(156)N型金属氧化物半导体栅极(226)与P型金属氧化物半导体栅极(228)，该N型金属氧化物半导体栅极(226)包括该金属氮化物层(218)的区段(234)且该P型金属氧化物半导体栅极(228)包括该金属氧化物层(220)的区段(242)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||