利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法

摘要

一种利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法。该方法包括下列步骤：首先提供一衬底，且该衬底表面已定义有一第一区域及一第二区域，接着在该衬底上形成一非晶硅薄膜，再在该非晶硅薄膜上方形成一掩模层，随即移除该第一区域内的该掩模层，再形成一热含覆盖层且覆盖于该掩模层及该非晶硅薄膜上，最后进行一准分子激光再结晶工艺，使该第一区域内的该非晶硅薄膜再结晶成一多晶硅薄膜。从而增加所形成多晶硅薄膜的晶粒尺寸，提高元件的电性能。

主权项

1.一种利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法，该方法包含有下列步骤：提供一衬底，该衬底表面已定义有一第一区域以及一第二区域；在该衬底上形成一非晶硅薄膜；在该非晶硅薄膜上方形成一掩模层；进行一第一黄光和蚀刻工艺，移除该第一区域内的该掩模层；形成一热含覆盖层，并覆盖于该掩模层以及该非晶硅薄膜上；以及进行该准分子激光再结晶工艺，使该第一区域内的该非晶硅薄膜再结晶成该多晶硅薄膜，其中该热含覆盖层包含有氮化硅、氮氧化硅或它们的组合。