| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种小型化的集成的半导体器件，它具有构成梯形电路之类的电阻器。绝缘膜被形成在制作有半导体元件的半导体衬底上，用CMP之类来执行顶部表面的整平。然后，不仅经由整平的绝缘膜在场区上，而且在制作半导体元件的有源区上，制作电阻器。而且，绝缘膜还被形成在电阻器上，并穿过接触孔在电阻器中制作电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1279615C | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN01124800.9 | 申请日期 | 2001.08.09 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 椎木美香;须藤稔 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01C7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包含：形成在半导体衬底上的半导体元件，并具有栅电极、源区和漏区；具有多个接触孔的第一绝缘膜；多个金属布线，每个均通过相应的其中一个接触孔连接到半导体元件的栅电极、源区和漏区；形成在第一绝缘膜和金属布线上的第二绝缘膜，该第二绝缘膜具有限定了第二绝缘膜的平坦化上表面的化学机械抛光部分；以及形成在第二绝缘膜的平坦化上表面上并与其直接接触的多个电阻器，其串联连接以形成倍增电阻器电路。 | ||
| 地址 | 日本千叶县 | ||