| 发明名称 | 氮化物半导体基底以及使用该基底的氮化物半导体装置 | ||
| 摘要 | 多晶AlN3通过溅射方法沉积在SiO<SUB>2</SUB>膜(2)的表面上，并且形成掩模。然后，在所形成的掩模上形成Si掺杂的n－GaN层5。随后，顺序生长出由Si－掺杂的n－型Al<SUB>0.1</SUB>Ga<SUB>0.9</SUB>N(硅含量为4×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>－3</SUP>，厚度为1.2μm)形成的n－型镀层(6)；由Si－掺杂的n－型GaN形成的n－型光捕获层(7)；由In<SUB>0.2</SUB>Ga<SUB>0.8</SUB>N势阱层以及Si掺杂的In<SUB>0.05</SUB>Ga<SUB>0.95</SUB>N阻挡层形成的多重量子势阱层(8)；由Mg－掺杂的p－型Al<SUB>0.2</SUB>Ga<SUB>0.8</SUB>N形成的保护层(9)；由Mg－掺杂的p－型GaN形成的p－型光捕获层(10)；由Mg－掺杂的p－型Al<SUB>0.1</SUB>Ga<SUB>0.9</SUB>N形成的p－型镀层(11)；以及由Mg－掺杂的p－型GaN形成的p－型接触层(12)，从而形成了LD层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1846299A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200480024908.0 | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 仓本大;笹冈千秋;松馆政茂 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/323(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体基底，其包括：III族氮化物半导体基底；掩模，形成于所述III族氮化物半导体基底之上；和半导体多层膜，形成于所述掩模上方；所述掩模具有沉积在其表面上的多晶材料。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||