| 发明名称 | 功率晶体管芯片小单元和双极型NPN功率晶体管芯片 | ||
| 摘要 | 一种功率晶体管芯片小单元和双极型NPN功率晶体管芯片，该功率晶体管芯片小单元的特征在于：其包括基区、发射区以及集电区，发射区和集电区为N型，基区为P型，且集电区与基区之间的集电结是平面与弯曲面的结合。由上述的多个功率晶体管芯片小单元可以并联组成双极型NPN功率晶体管芯片，从而该双极型NPN功率晶体管芯片能可靠的应用于50KC以及以上的开关电路。 | ||
| 申请公布号 | CN2826696Y | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200520018632.7 | 申请日期 | 2005.05.18 |
| 申请人 | 北京富桦明电子有限公司;程铭 | 发明人 | 程铭 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01);H01L27/082(2006.01) | 主分类号 | H01L29/73(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郝庆芬 |
| 主权项 | 1.一种功率晶体管芯片小单元，其包括基区、发射区以及集电区，发射区和集电区为N型，基区为P型，其特征在于，集电区与基区之间的集电结是平面与弯曲面的结合。 | ||
| 地址 | 102200北京市昌平区科技园区南邵镇兴昌路9号 | ||