发明名称 一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法,属于材料制备技术领域。该方法包括:1)制备晶粒为面心立方结构的FePt(M)或CoPt(M)薄膜,其中M为元素周期表中的C、P、B非金属元素之一或者熔点低于Fe元素熔点的Ag、Cu、Sn、Pb、Bi、Ga和In金属元素之一;2)将FePt(M)或CoPt(M)薄膜置于磁场中,磁场的方向垂直于薄膜表面,然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。应用本发明能使薄膜中的铁磁性晶粒的易磁化轴垂直于膜面排列。本发明具有工艺简单、过程容易控制的优点,并且可以使用熔点相对较低的玻璃作为薄膜的基底材料,既可节约成本,还可以保证使用FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜过程中所要求的膜面光洁度。
申请公布号 CN1845242A 申请公布日期 2006.10.11
申请号 CN200610078661.1 申请日期 2006.04.30
申请人 首都师范大学 发明人 贺淑莉;刘丽丽;彭印;王一红
分类号 G11B5/84(2006.01);G11B5/852(2006.01);H01F10/14(2006.01);H01F10/16(2006.01);H01F41/22(2006.01) 主分类号 G11B5/84(2006.01)
代理机构 北京诺孚尔知识产权代理有限责任公司 代理人 庞涛
主权项 1.一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)制备晶粒为面心立方结构的FePt(M)或CoPt(M)薄膜,其中M为元素周期表中的C、P、B非金属元素之一或者熔点低于Fe元素熔点的Ag、Cu、Sn、Pb、Bi、Ga和In金属元素之一;2)将FePt(M)或CoPt(M)薄膜置于磁场中,磁场的方向垂直于薄膜表面,然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。
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