| 发明名称 | 一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器 | ||
| 摘要 | 本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物M－TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接，这里M为Ag，Cu，K或Mg。本发明利用M－TCNQ纳米线的可逆电双稳性质：当电压达到某一阈值时，M－TCNQ纳米线将从高阻态跃迁为低阻态，且电阻率差值很大，可达5－6个数量级，跃迁时间很短，小于50纳秒；在电压(电场)撤去后，又自动回到高阻态。本发明可用于制备超快速、高可靠过电压保护器等开关器件。由于这种器件利用的是纳米线的本身性质，不需掺杂、不需PN结，因而具有抗辐射的功能。 | ||
| 申请公布号 | CN1845263A | 申请公布日期 | 2006.10.11 |
| 申请号 | CN200610025887.5 | 申请日期 | 2006.04.20 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 陈国荣;郑凯波;沈浩颋;叶春暖;莫晓亮;姚彦;孙大林 |
| 分类号 | H01C7/10(2006.01);H01C7/12(2006.01) | 主分类号 | H01C7/10(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1、一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器，其特征在于依次由导电基底、绝缘层、顶电极组成，其中，绝缘层洞孔中有金属有机络合物M-TCNQ形成的纳米线将导电基底和顶电极连接，导电基底为底电极，底电极与顶电极由导线引出；这里的金属M为Ag、Cu、K或Mg，TCNQ为7，7，8，8-四氰基对醌二甲烷。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||