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发明名称 NANO SIZED MAGNETIC MEMORY WITH CURRENT PERPENDICULAR TO PLANE AND FABRICATION METHOD FOR THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060104493(A) 申请公布日期 2006.10.09
申请号 KR20050026711 申请日期 2005.03.30
申请人 KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 发明人 KIM, KWANG YOUN;JEUNG, WON YOUNG;CHUN, MYUNG GIL
分类号 G11C11/15 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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