发明名称 具有高速操作的存储器芯片架构
摘要 一种半导体存储器装置包括:至少一个数据传输块,包括在半导体存储器装置的主轴侧排列的数据I/O垫;命令和地址传输块,包括在半导体存储器装置的至少一个副轴侧排列的地址和命令输入垫;全局线块,排列在半导体存储器装置的中心,用于传输所输入的命令和地址;以及至少一个储存体区,排列在全局线块与数据传输块之间,每一储存体区包含位于数据传输块侧的多个数据I/O块以及位于全局线块侧的多个控制块。
申请公布号 CN1841553A 申请公布日期 2006.10.04
申请号 CN200610002105.6 申请日期 2006.01.16
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 李根一;朱镕奭
分类号 G11C11/4063(2006.01);G11C11/413(2006.01) 主分类号 G11C11/4063(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 杨红梅
主权项 1.一种半导体存储器装置,包括:至少一个数据传输块,包括在半导体存储器装置的主轴侧排列的数据I/O垫;命令和地址传输块,包括在半导体存储器装置的至少一个副轴侧排列的地址和命令输入垫;全局线块,排列在半导体存储器装置的中心,用于传输所输入的命令和地址;以及至少一个储存体区,排列在全局线块与数据传输块之间,每一储存体区包含设置为比全局线块更靠近数据传输块的多个数据I/O块以及设置为比数据传输块更靠近全局线块的多个控制块。
地址 韩国京畿道