| 发明名称 | 金属图形及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的金属图形是在衬底表面上通过蚀刻形成的金属图形(13’)，在金属图形(13’)的金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF<SUB>3</SUB>(CF<SUB>2</SUB>)<SUB>n</SUB>－：n为自然数)的被吸附的单分子膜，在构成上述单分子膜的分子间渗入具有巯基(－SH)或二硫基(－SS－)的分子，从而形成遮蔽膜(18)。该金属图形是通过如下的步骤得到：在金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF<SUB>3</SUB>(CF<SUB>2</SUB>)<SUB>n</SUB>－：n为自然数)的单分子膜，在上述单分子膜的表面涂布溶解了具有巯基(－SH)或二硫基(－SS－)的分子的溶液，在构成上述单分子膜的分子间渗入具有巯基(－SH)或二硫基(－SS－)的分子，从而形成遮蔽膜，使蚀刻液与上述金属膜表面接触，对没有上述遮蔽膜的金属区域进行蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN1843067A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200580000825.2 | 申请日期 | 2005.01.13 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 中川徹 |
| 分类号 | H05K3/06(2006.01);B32B9/00(2006.01);B32B15/04(2006.01) | 主分类号 | H05K3/06(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1.一种在衬底表面上通过蚀刻形成的金属图形，其特征在于，在所述金属图形的金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF3(CF2)n-：n为自然数)的单分子膜，使构成所述单分子膜的分子间渗入具有巯基(-SH)或二硫基(-SS-)的分子，从而形成遮蔽膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||