发明名称 薄膜磁头
摘要 一种具有薄膜结构体的薄膜磁头,该薄膜结构体,在上层部(86),侧边缘部(86a)比基底部(81)的侧边缘部(81b)向外侧伸出而形成延出部(86b),线圈绝缘层(绝缘层)(57)也存在延出部(86b)的下方。由于在突起部(87)的延出部(86b)的下方也存在线圈绝缘层(绝缘层)(57),所以突起部(87)的周围的机械强度提高。从而,在保护层(绝缘层)(61)不易生成裂纹,而提高导通连接结构的耐蚀性。因此,这种薄膜结构体,机械强度高,并能够用于导通连接。
申请公布号 CN1841505A 申请公布日期 2006.10.04
申请号 CN200610073681.X 申请日期 2004.06.04
申请人 阿尔卑斯电气株式会社 发明人 矢泽久幸
分类号 G11B5/33(2006.01) 主分类号 G11B5/33(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 刘建
主权项 1.一种薄膜磁头,具有第1薄膜结构体与第2薄膜结构体,其中:上述第1薄膜结构体,在第1导电层上方层叠有导电性的第1突起部,利用形成在上述第1导电层上的绝缘层围住上述第1突起部的周围,上述第1突起部具有与上述第1导电层连接的第1基底部和层叠在该第1基底部上的第1上层部,上述第1上层部的、与膜厚度方向垂直的剖面的面积,越向上述第1上层部的上方越逐渐减小,而且,在上述第1上层部上,侧边缘部比上述第1基底部的侧边缘部向外侧伸出而形成第1延出部,上述绝缘层,在上述第1基底部的整个周围,也存在于上述第1延出部的下方,上述绝缘层与上述第1基底层的侧边缘部相接,在上述第1导电层的侧方、且上述第1突起部的上述第1延出部的下方设有导线层,该导线层的一端与上述第2薄膜结构体相连接。
地址 日本东京都