发明名称 半导体存储装置
摘要 本发明的半导体存储装置具有:由多个存储单元构成的一个或多个单位块;第一读出放大器列,配置在多条位线的一端侧;第二读出放大器列,配置在多条位线的另一端侧;第一开关机构,切换多条位线的一端和第一读出放大器列之间的连接状态;第二开关机构,切换多条位线的另一端和第二读出放大器列之间的连接状态;第三开关机构,配置在多条位线的延伸方向的大致部,将多条位线切换成连接状态或断开状态;和刷新控制机构,在单位块的刷新动作时,作为多条位线断开的状态将单位块分割成第一区域和第二区域,选择字线属于第一区域时用第一开关机构和第一读出放大器列,选择字线属于第二区域时用第二开关机构和第二读出放大器列。
申请公布号 CN1841552A 申请公布日期 2006.10.04
申请号 CN200610073854.8 申请日期 2006.03.31
申请人 尔必达存储器株式会社 发明人 梶谷一彦
分类号 G11C11/401(2006.01) 主分类号 G11C11/401(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 陆锦华;李亚
主权项 1.一种半导体存储装置,其特征在于,具有:一个或多个单位块,由配置在存储单元阵列的、在多条字线和多条位线的交点形成的多个存储单元构成;第一读出放大器列,配置在上述多条位线的一端侧,包括经由属于上述单位块的上述多条位线、对上述存储单元的数据进行放大的多个读出放大器;第二读出放大器列,配置在上述多条位线的另一端侧,包括经由属于上述单位块的上述多条位线、对上述存储单元的数据进行放大的多个读出放大器;第一开关机构,对上述多条位线的一端和上述第一读出放大器列之间的连接状态进行切换;第二开关机构,对上述多条位线的另一端和上述第二读出放大器列之间的连接状态进行切换;第三开关机构,配置在上述多条位线的延伸方向的大致中央部,将上述多条位线切换成在其一端和另一端之间连接的状态或断开的状态的任何一种;和刷新控制机构,以如下方式进行控制:在上述单位块的刷新动作时,作为由上述第三开关机构将上述多条位线断开的状态,将上述单位块分割成上述多条位线的一端侧的第一区域和上述多条位线的另一端侧的第二区域,当刷新对象的选择字线属于上述第一区域时,用上述第一开关机构和上述第一读出放大器列进行上述刷新动作,并且当上述选择字线属于上述第二区域时,用上述第二开关机构和上述第二读出放大器列进行上述刷新动作。
地址 日本东京