| 发明名称 | 双向取向薄膜以及磁记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种特别是用于磁记录介质时，电磁转换特性、走行耐久性和对磁头的走行性优良的高品质双向取向薄膜。本发明的目的是通过下述双向取向薄膜实现的，其特征在于它由以聚酯(聚合物1)和聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)作为必须成分的聚合物合金构成，至少1个表面具有突起高度为2～50nm的微细突起100万～9000万个/mm<SUP>2</SUP>。 | ||
| 申请公布号 | CN1277868C | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN00801746.8 | 申请日期 | 2000.08.24 |
| 申请人 | 东丽株式会社 | 发明人 | 窪田啓;中岛彰二;中森由佳里;恒川哲也 |
| 分类号 | C08J5/18(2006.01);B32B27/36(2006.01);G11B5/73(2006.01);C08L67/00(2006.01) | 主分类号 | C08J5/18(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1、双向取向薄膜，它由以聚合物1——聚酯和聚合物2——选自聚酰亚胺、聚砜和聚醚砜中至少1种的热塑性树脂作为必须成分的聚合物合金构成，至少1个表面具有突起高度为2～50nm的微细突起100万～9000万个/mm2，其中该聚合物2在聚合物合金中的含量为5～50重量％。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||