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发明名称 Precharge circuit for inducing sensing stress upon twist bit lines of memory, layout of the precharge circuit and wafer burn-in test method of the memory device
摘要
申请公布号 KR100630714(B1) 申请公布日期 2006.10.04
申请号 KR20040091454 申请日期 2004.11.10
申请人 发明人
分类号 G11C11/4091;G11C11/401;G11C29/00 主分类号 G11C11/4091
代理机构 代理人
主权项
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