| 发明名称 | 半导体制造装置的寿命诊断方法 | ||
| 摘要 | 提供一种不受半导体制造中涉及的处理条件的变动和电源变动以及机械误差影响的半导体制造装置的寿命诊断方法。该方法包括：(1)测定半导体制造装置没有恶化时的特征量的基准时间系列数据(步骤S11)；(2)从基准时间系列数据求出基准自共分散函数(步骤S12)；(3)从该基准自共分散函数提取处理条件的变动和电源引起的基准变动，求出该基准变动的周期(步骤S13)；(4)在成为半导体制造装置的评价对象的序列中，测定特征量的诊断用时间系列数据(步骤S14)；(5)从该诊断用时间系列数据求出诊断用自共分散函数(步骤S15)；(6)使用比基准变动周期短的周期成分从该诊断用自共分散函数决定半导体制造装置的寿命(步骤S16)。 | ||
| 申请公布号 | CN1278387C | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN02147030.8 | 申请日期 | 2002.08.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 佐俣秀一;牛久幸广;石井贤;中尾隆 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/365(2006.01);F04C25/02(2006.01);C23C16/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种使用了干式泵的半导体制造装置的寿命诊断方法，其特征在于包括：测定半导体制造装置没有恶化时的特征量的基准时间系列数据的步骤；从上述基准时间系列数据求出基准自共分散函数的步骤；从该基准自共分散函数提取处理条件的变动和电源引起的基准变动，求出该基准变动的周期的步骤；在作为半导体制造装置的评价对象的序列中，测定上述特征量的诊断用时间系列数据的步骤；从该诊断用时间系列数据求出诊断用自共分散函数的步骤；以及使用比上述基准变动周期短的周期成分从上述诊断用自共分散函数决定上述半导体制造装置的寿命的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||