| 发明名称 | 处理方法以及处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种处理方法和处理装置，准备设定成先处理的基板(G)的处理条件的作为第1处理部的热处理单元(70a～70c)，和设定成后处理的基板(G)的处理条件的至少一个作为第2处理部的辅助热处理单元(70s)，在将先处理的基板(G)传送到第1处理部中进行处理的期间，将第2处理部设定成后处理的基板(G)的处理条件并使其待机，在第1处理部的处理结束后，在第2处理部中对后处理的基板(G)进行处理，在第2处理部中进行处理的期间，将第1处理部变更成与第2处理部相同的处理条件对被处理的基板(G)进行处理，在第2处理部的处理结束后，将第2处理部变更成进而后处理的基板(G)的处理条件并使其待机，连续地进行多个基板(G)的处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1278380C | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN03130946.1 | 申请日期 | 2003.05.09 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 立山清久 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);G02F1/13(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张天安;郑建晖 |
| 主权项 | 1.一种热处理方法，其特征是，包括下述工序：(a)将对多个被处理体进行处理的第1处理部的处理条件设定为第1热处理条件的工序，(b)在上述工序(a)之后，在上述第1处理部中以上述第1热处理条件对上述被处理体中的第1被处理体进行处理的工序，(c)将对上述被处理体进行处理的第2处理部的处理条件设定为与上述第1热处理条件不同的第2热处理条件的工序，(d)在上述工序(c)之后，在上述第2处理部中以上述第2热处理条件对上述被处理体中的第2被处理体进行处理的工序，(e)在上述工序(b)之后、并且在上述工序(d)的中途，将上述第1处理部的处理条件变更设定为上述第2热处理条件的工序，(f)在上述工序(e)之后，在上述第1处理部中以上述第2热处理条件对上述被处理体中的第3被处理体进行处理的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||