| 发明名称 | 修正凸块轮廓的方法 | ||
| 摘要 | 一种修正凸块轮廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸块。接着，进行一两步骤沉积制作工艺，以在凸块的侧壁形成一高分子材料层。其中，本发明于凸块侧壁形成高分子材料层的方法，可控制其由凸块侧壁的顶部向凸块侧壁的底部生长，也可控制其由凸块侧壁的底部往凸块侧壁的顶部生长。 | ||
| 申请公布号 | CN1278408C | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN02140508.5 | 申请日期 | 2002.07.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖俊仁 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/312(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种修正凸块轮廓的方法，其特征在于：包括：提供一基底，该基底上已形成有一凸块；进行一两步骤沉积制作工艺，以在该凸块的侧壁形成一高分子材料层，其中该高分子材料层由该凸块侧壁的顶部往该凸块侧壁的底部生长；该两步骤沉积制作工艺的第一步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例大于1.5；该两步骤沉积制作工艺的第二步骤的一反应气体包括二氟甲烷(CH2F2)与八氟丁烯(C4F8)，且二氟甲烷与八氟丁烯之间的一含量比例小于1/2。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||