发明名称 用于避免多电源输入/输出的瞬态短路电流的上电解决方法
摘要 一种避免瞬态短路电流的技术。集成电路包括具有第一电源电压电平的第一节点。第一电平移动电路连接在第一节点和第一路径之间。第二电平移动电路连接在第一节点和第二路径之间。第一路径包括偶数个反相器级而第二路径包括奇数个反相器级。第一和第二电平移动电路以第二电源电压电平输出信号。集成电路还包括串联在第二节点和参考电压之间的PMOS晶体管和NMOS晶体管,第二节点具有第二电源电压电平。PMOS晶体管的栅极连接到第一路径并且NOMS晶体管的栅极连接到第二路径。在上电期间,当所述第二节点在所述第一节点之前加电时,连接在PMOS和NMOS晶体管之间的I/O焊盘具有高阻抗。在另一具体实施例中,第一和第二路径的反相器级可以分别被替换为上拉或下拉电路。
申请公布号 CN1841730A 申请公布日期 2006.10.04
申请号 CN200510024850.6 申请日期 2005.03.30
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 俞大立;程惠娟
分类号 H01L27/00(2006.01);H01L27/092(2006.01);G06F13/00(2006.01) 主分类号 H01L27/00(2006.01)
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 陈红
主权项 1.一种集成电路,包括:一个第一节点,具有一个第一电源电压电平;一个第一电平移动电路,耦合在所述第一节点和一个第一路径之间,所述第一电平移动电路被配置成以一个第二电源电压电平输出信号,并且所述第一路径包括偶数个反相器级;一个第二电平移动电路,耦合在所述第一节点和一个第二路径之间,所述第二电平移动电路被配置成以所述第二电源电压电平输出信号,并且所述第二路径包括奇数个反相器级;一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管,串联耦合在一个第二节点和一个参考电压之间,所述第二节点具有所述第二电源电压电平;所述PMOS晶体管的栅极,耦合到所述第一路径;所述NOMS晶体管的栅极,耦合到所述第二路径;一个I/O焊盘,耦合在所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管之间,在上电期间,当所述第一电源电压电平在所述第二电源电压电平之前加电时,所述I/O焊盘处于高阻抗状态。
地址 201203上海市浦东新区张江路18号