发明名称 场效应晶体管和单电子晶体管及利用它们的传感器
摘要 在具有配备了基板(2)、设置于基板(2)上的源电极(4)和漏电极(5)、以及成为源电极(4)与漏电极(5)之间的电流通路的沟道(6)的场效应晶体管(1A),用于检测出检测对象物质的传感器中,场效应晶体管(1A)通过构成为具有用于固定与检测对象物质有选择地进行相互作用的特定物质(10)的相互作用感知栅(9)和为了检测相互作用作为场效应晶体管(1A)的特性的变化而施加电压的栅(7),提供了一种要求高灵敏度的检测灵敏度的检测对象物质的检测成为可能的传感器。
申请公布号 CN1842704A 申请公布日期 2006.10.04
申请号 CN200480024620.3 申请日期 2004.08.27
申请人 独立行政法人科学技术振兴机构 发明人 松本和彦;小岛厚彦;长尾哲;加藤尚范;山田豊;长池一博;井福康夫;三谷浩
分类号 G01N27/00(2006.01);G01N27/30(2006.01) 主分类号 G01N27/00(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李辉
主权项 1.一种传感器,其具有配备了基板、设置于该基板上的源电极和漏电极、以及成为所述源电极与漏电极之间的电流通路的沟道的场效应晶体管,用于检测出检测对象物质,其特征在于,该场效应晶体管具有:用于固定与该检测对象物质有选择地进行相互作用的特定物质的相互作用感知栅;以及为了检测该相互作用作为该场效应晶体管的特性的变化而施加电压的栅。
地址 日本崎玉县