| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的阱，其形成于半导体衬底中；晶体管，其形成于阱中；第二导电类型的扩散区，其形成于半导体衬底中，以覆盖阱的侧面和底面；端子，其形成于半导体衬底上扩散区的外部；以及导电区，其与阱相接触，阱通过导电区和半导体衬底与端子欧姆接触，导电区的杂质浓度水平超过半导体衬底的杂质浓度水平。 | ||
| 申请公布号 | CN1841738A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200510089596.8 | 申请日期 | 2005.08.05 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 田中琢尔;野村浩;入山靖德 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/761(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于：第一导电类型的半导体衬底；所述第一导电类型的阱，其形成于所述半导体衬底中；晶体管，其形成于所述阱中；第二导电类型的扩散区，其形成于所述半导体衬底中，以覆盖所述阱的侧面和底面；端子，其形成于所述半导体衬底上所述扩散区的外部；以及导电区，其与所述阱相接触，所述阱通过所述导电区和所述半导体衬底与所述端子欧姆接触，所述导电区的杂质浓度水平超过所述半导体衬底的杂质浓度水平。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||