发明名称 |
半导体集成电路 |
摘要 |
提供了一种通信半导体集成电路(RF IC),其中,将用来对接收信号进行降频的混频电路的输出侧上的滤波器中包含的电容元件的电容减小,而不要求改变滤波器的截止频率,从而使得容易在芯片上制作元件并减少了所需外部元件的数目。吉尔伯特单元电路被用作混频电路,为了降频,此混频电路对接收信号和局部振荡信号进行合成。用来从输出中清除不希望有的电波的低通滤波器由上级差分晶体管的负载电阻器和提供在各差分输出端子之间的电容元件构成。负载电阻器的电阻被增大,并提供了用来将电流施加到上级差分晶体管的发射极或集电极的电流电路,使得可将能补偿因负载电阻增大而引起的电流量减小的电流从电流电路被施加到下级差分晶体管。 |
申请公布号 |
CN1841922A |
申请公布日期 |
2006.10.04 |
申请号 |
CN200610068344.1 |
申请日期 |
2006.03.29 |
申请人 |
株式会社瑞萨科技 |
发明人 |
吉崎保展;和久田哲也 |
分类号 |
H03D7/18(2006.01);H04L27/38(2006.01) |
主分类号 |
H03D7/18(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种半导体集成电路,它包含:第一晶体管,直流电流和对应于第一频率的输入信号的交流电流通过此第一晶体管;第二晶体管,第一晶体管的集电极或漏极的输出电流被输入到第二晶体管的发射极或源极,第二频率的信号被施加到第二晶体管的控制端子,且借助于合成第一频率的输入信号和第二频率的信号而产生的信号从第二晶体管的集电极或漏极被输出;以及低通滤波器,它包括负载电阻器和电容元件,并被连接到第二晶体管的集电极或漏极;其中,提供有电流注入电路,用来施加在第一晶体管中通过的上述直流电流的一部分而不使此部分直流电流通过负载电阻器,且其中,负载电阻器和电容元件被形成在也制作有第一晶体管和第二晶体管的半导体衬底上。 |
地址 |
日本东京 |