| 发明名称 | 微电力机械系统电可调谐光学滤波器芯片制备方法 | ||
| 摘要 | 一种微电力机械系统(MEMS)电可调谐光学滤波器芯片的制备方法，包括步骤：1、在硅基片表面上光刻出下电极图形；2、蒸发铬/金薄膜；3、超声剥离；4、淀积二氧化硅牺牲层；5、光刻腐蚀隔离槽图形；6、蒸发铬作为掩蔽层；7、超声剥离；8、干法刻蚀隔离槽内的二氧化硅；9、去铬；10、淀积氮化硅；11、光刻上电极图形；12、蒸镀铬/金薄膜；13、超声剥离；14、光刻腐蚀孔；15、干法刻蚀氮化硅；16、湿法去除二氧化硅牺牲层；17释放结构。由此芯片制做的微电力机械系统电可调谐光学滤波器器件，可在光通信波分复用系统中将光纤中不同波长传输的信号进行复用或解复用，或者在光网络中用作光插/分复用器(OADM)。 | ||
| 申请公布号 | CN1840464A | 申请公布日期 | 2006.10.04 |
| 申请号 | CN200510062484.3 | 申请日期 | 2005.03.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 欧毅;陈大鹏;孙雨南;崔芳;王冠亚;刘辉 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01);G02F1/01(2006.01) | 主分类号 | B81C1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1一种微电力机械系统电可调谐光学滤波器芯片制备方法，其特征在于，包括下列步骤：1、在硅基片表面上光刻出下电极图形；2、蒸发铬/金薄膜；3、超声剥离；4、淀积二氧化硅牺牲层；5、光刻腐蚀隔离槽图形；6、蒸发铬作为掩蔽层；7、超声剥离；8、干法刻蚀隔离槽内的二氧化硅；9、去铬；10、淀积氮化硅；11、光刻上电极图形；12、蒸镀铬/金薄电极，即上电极；13、超声剥离；14、光刻湿法腐蚀孔图形；15、刻蚀氮化硅薄膜；16、湿法去除二氧化硅牺牲层；17、释放结构。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||